ST MMBTRA226SS цифровой транзистор

MMBTRA226SS — маломощный цифровой NPN-транзистор с встроенным резистором базы для переключения и управления. Корпус SOT-23. Встроенный резистор ограничения тока базы упрощает подключение к логическим уровням.

Основные параметры:
Рассеиваемая мощность Pd: 200 mW
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 56 @ Ic=50 mA, VCE=5 V
Напряжение включения VO(on): 600 mV
Встроенный входной резистор: 2.2 kΩ
Корпус: SOT-23
Тип компонента: цифровой NPN-транзистор со встроенным резистором базы

Типовые применения: управление периферийными устройствами от MCU или логических уровней, например малосигнальными реле и оптопарами; управление светодиодами; преобразование логических уровней и формирование сигналов; коммутационные схемы и защита интерфейсов.

При управлении логическим сигналом 5 V ток базы через встроенный резистор 2.2 kΩ составляет примерно (Vin - Vbe)/2.2kΩ, то есть (5V-0.7V)/2.2k ≈ 1.95 mA. При hFE=56 теоретический ток коллектора может достигать порядка сотен миллиампер, однако фактическое значение зависит от допустимого рабочего тока и характеристик насыщения компонента.

При расчете тепловыделения учитывайте VCE(on) и Ic: P = Ic × VCE. Также учитывайте температуру окружающей среды, площадь теплоотвода на плате и тепловое влияние соседних компонентов. Напряжение включения VO(on)=600 mV создает дополнительные потери и нагрев при большом токе.

Для защиты входа от высокочастотных помех и импульсных перенапряжений можно предусмотреть конденсатор или RC-фильтр и защитный диод. Значения hFE и VCE(sat) зависят от рабочей точки; перед применением проверьте компонент при целевой нагрузке и температуре.

Компактный корпус SOT-23 подходит для плат с высокой плотностью монтажа и имеет ограниченные возможности отвода тепла. При токах порядка десятков миллиампер или работе на повышенной частоте увеличьте площадь медных участков для улучшения теплоотвода.