SHIKUES BC850C транзистор

BC850C — маломощный биполярный транзистор NPN в корпусе SOT-23 для переключения и усиления сигналов. Обладает высоким коэффициентом передачи постоянного тока и низким напряжением насыщения при малых токах.

Основные параметры

Тип транзистора: NPN (BJT)
Ток коллектора Ic: 100 mA (максимальный)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер VCEo: 30 V
Рассеиваемая мощность Pd: 250 mW (ограничена корпусом)
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 240 (при Ic=10 μA, VCE=5 V)
Граничная частота fT: 100 MHz
Ток отсечки коллектор-база Icbo: 15 nA (типовой)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): 90 mV (типовое)
Рабочая температура: -65 ℃ ～ +150 ℃
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 5 V
Корпус: SOT-23 (3 вывода, поверхностный монтаж)

Транзистор подходит для усиления и переключения сигналов в портативных устройствах с батарейным питанием, усилителей датчиков температуры, света и давления, преобразования уровней, управления маломощными реле и оптопарами, цепей смещения и источников постоянного тока, а также обработки импульсных сигналов.

Корпус SOT-23 имеет ограниченную теплоемкость. Оценивайте рассеиваемую мощность в рабочем режиме, увеличивайте площадь меди на печатной плате при необходимости теплоотвода и оставляйте запас по максимальному току коллектора 100 mA. Не превышайте обратное напряжение база-эмиттер Vebo 5 V.

Для ограничения тока базы установите последовательный резистор. В высокочастотных и импульсных схемах учитывайте паразитные емкости и разводку; при необходимости добавьте развязывающий конденсатор. В схемах, чувствительных к коэффициенту усиления, измеряйте hFE при фактическом рабочем токе. Для защиты при скачках питания и работе с индуктивной нагрузкой применяйте подавляющие элементы, например диод или RC-цепь. При высокой температуре и повышенных требованиях к надежности снижайте допустимую рассеиваемую мощность.