SHIKUES S8050 транзистор

Обзор транзистора S8050 (BJT)

S8050 — NPN-транзистор в корпусе SOT-23.

Основные параметры
Рассеиваемая мощность (Pd): 300 mW
Тип транзистора: NPN
Частота единичного усиления (fT): 150 MHz
Коэффициент передачи постоянного тока (hFE@Ic,Vce): 120 @ 50 mA, 1 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo): 25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)@Ic,Ib): 600 mV @ 500 mA, 50 mA
Обратный ток коллектора (Icbo): 100 nA
Ток коллектора (Ic): 500 mA

Области применения
Высокочастотные усилители: частота fT 150 MHz подходит для усиления высокочастотных сигналов, например в беспроводном оборудовании и радиочастотных усилителях.

Ключевые схемы: низкое напряжение насыщения и высокий коэффициент передачи постоянного тока позволяют использовать S8050 в цифровых логических схемах и драйверах.

Применения с низким уровнем шума: низкий ток утечки и высокочастотные характеристики подходят для аудиоустройств и входных усилителей датчиков.

Компактные устройства: корпус SOT-23 подходит для портативной электроники и встроенных систем с ограниченным пространством.

Указания по проектированию
Тепловой режим: при рассеиваемой мощности 300 mW следует предусмотреть отвод тепла.

Ограничения по напряжению и току: значения Vceo и Ic следует удерживать в заданных пределах.

Управление базой: ток управления базой следует выбирать с учетом требуемого режима работы.