SHIKUES SK02N06E

SK02N06E — силовой MOSFET с N-каналом, корпус SOT-223.

Основные параметры
Тип: MOSFET с N-каналом
Напряжение сток–исток Vdss: 60V
Непрерывный ток стока Id: 2.2A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 86mΩ @ Vgs = 10V
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5V (тип.)
Предельное напряжение затвора Vgs: ±20V
Диапазон рабочих температур: -55℃ ~ +150℃
Корпус: SOT-223
Количество: 1 шт.

Особенности и применение
Низкое сопротивление открытого канала при Vgs=10V снижает потери проводимости. Устройство подходит для низковольтных преобразователей DC-DC, силовых ключей и переключения нагрузки, маломощных приводов двигателей, светодиодных драйверов, модулей управления питанием и защитных схем. Напряжение 60V подходит для низковольтных ключей в системах 12V–48V.

Теплоотвод и монтаж
Для улучшения теплоотвода рекомендуется предусмотреть на печатной плате большую площадь медного полигона и соединить слои меди переходными отверстиями. Следует минимизировать длину дорожек между выводами истока и стока и нагрузкой. При продолжительной работе с большим током следует учитывать тепловое сопротивление переход–окружающая среда и применять снижение номинальных параметров.

Условия эксплуатации
Для получения минимального RDS(on) следует использовать напряжение управления затвором около 10V; работу при логическом уровне 5V или ниже следует проверить испытаниями. При монтаже и настройке необходима защита от электростатического разряда. Следует соблюдать пределы Vgs±20V, Vdss 60V и максимальную температуру перехода. Для проверки пригодности к длительной эксплуатации следует измерить рассеиваемую мощность, нагрев и потери при переключении в целевой схеме.