WMSIC Электронные компоненты

SHIKUES SK2301AAT

МодельSK2301AAT
КорпусSOT-523
БрендSHIKUES
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
SHIKUES SK2301AAT
Тип
SHIKUES
Минимальная упаковка
3000 未知

Технические параметры

Упаковка
Неизвестно
Бренд
SHIKUES
Модель
SK2301AAT
Шаг
1
Корпус
SOT-523
Количество
1 P-канал
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.028g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0228146671
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
700mW
Минимальная упаковочная единица
Неизвестно
Минимальное количество в упаковке
3000
Напряжение сток-исток (Vdss)
20V
Входная емкость (Ciss)
290pF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

SK2301AAT — P-канальный силовой MOSFET в корпусе SOT-523 для низковольтных схем управления нагрузкой и питанием. Напряжение сток–исток составляет 20V.

Основные параметры
Напряжение сток–исток Vdss: 20 V
Непрерывный ток стока Id: 2.3 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 130 mΩ @ Vgs = 4.5 V, Id = 2.3 A
Рассеиваемая мощность Pd: 700 mW; в некоторых источниках указано 350 mW. Для проектирования используйте окончательные данные спецификации.
Заряд затвора Qg: 3.9 nC @ Vgs = 4.5 V
Входная ёмкость Ciss: 290 pF @ 10 V
Ёмкость обратной передачи Crss: 29 pF @ 10 V
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT-523

Характеристики
Компактный корпус для портативных устройств и плат с ограниченным пространством. Низкое RDS(on) при Vgs = 4.5 V снижает потери проводимости. Заряд затвора 3.9 nC подходит для применений с умеренной частотой переключения.

Типовые применения
Защита литиевых батарей и управление нагрузкой по верхнему плечу; переключение питания наушников, носимых и мобильных устройств; внешние ключи для микросхем управления питанием; защита от переполюсовки и развязка питания; синхронные или обходные ключи в маломощных преобразователях DC-DC.

Рекомендации по проектированию
Для управления P-канальным MOSFET используйте соответствующее напряжение затвор–исток. Тепловое сопротивление корпуса SOT-523 зависит от площади меди на плате; при длительном токе, близком к номинальному, предусмотрите достаточную площадь меди и тепловые переходные отверстия. Для уменьшения звона и выбросов можно установить последовательно с затвором резистор 10~100 Ω. При управлении индуктивной нагрузкой предусмотрите диод или RC-цепь подавления, а при необходимости — TVS.

Пример расчёта
При RDS(on)=0.13 Ω и Id=2.3 A потери проводимости P = I^2·R ≈ 0.69 W. Такой режим близок к указанной рассеиваемой мощности; для снижения температуры перехода требуется улучшить теплоотвод платы либо уменьшить длительный ток.

Монтаж и хранение
MOSFET чувствителен к электростатическому разряду. Для корпуса SOT-523 соблюдайте профиль оплавления и требования к хранению с учётом уровня MSL.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.