SUPSiC GC3M0032120D

GC3M0032120D. Описание изделия

1. Обзор
GC3M0032120D — силовой SiC MOSFET с каналом N и напряжением 1.2kV в корпусе TO-247-3. Предназначен для высоковольтных и высокоэффективных силовых систем; подходит для преобразователей средней и высокой мощности, инверторов и импульсных источников питания.

2. Основные параметры и характеристики
Тип: MOSFET с каналом N
Напряжение сток-исток Vdss: 1.2 kV
Непрерывный ток стока Id: 63 A (зависит от условий охлаждения)
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 283 W (зависит от условий охлаждения)
Сопротивление во включенном состоянии RDS(on): 32 mΩ при Vgs = 15 V
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5 V
Полный заряд затвора Qg: 114 nC
Входная емкость Ciss: 3.357 nF
Выходная емкость Coss: 129 pF
Емкость обратной передачи Crss: 8 pF
Диапазон рабочих температур: -40 ℃…+175 ℃
Корпус: TO-247-3 (металлическая площадка соединена со стоком)

3. Корпус и тепловой режим
Корпус TO-247-3 позволяет устанавливать радиатор; металлическая площадка соединена со стоком. При непрерывном токе 63 A и рассеиваемой мощности до 283 W требуется эффективный теплоотвод: подходящий радиатор, медное основание или жидкостное охлаждение. Тепловое сопротивление и запас по температуре перехода следует рассчитывать с учетом рабочего тока и частоты.

4. Типовые области применения
Солнечные инверторы средней и высокой мощности и преобразователи накопителей энергии
Промышленные преобразователи частоты и сервоприводы
Высоковольтные каскады ИБП и импульсных источников питания SMPS
Приводы электромобилей и бортовые источники питания для высоковольтных платформ
Высокочастотные высокоэффективные преобразователи энергии

5. Рекомендации по выбору и применению
Управление затвором: значение RDS(on) указано при Vgs = 15 V. Рекомендуется драйвер затвора с достаточным пиковым током для перезаряда Qg = 114 nC. Напряжение управления следует выбирать по техническим характеристикам устройства.
Последовательный резистор затвора и демпфирование: для контроля dv/dt и уменьшения колебаний рекомендуется подобрать последовательный резистор затвора; типичный диапазон составляет от нескольких до нескольких десятков ом в зависимости от звона в схеме и требуемой скорости коммутации.
Разводка и паразитные параметры: следует минимизировать индуктивность силового контура и оптимизировать цепи развязки и отвода тепла, чтобы уменьшить переходные нагрузки при коммутации.
Защита: в высоковольтных системах рекомендуется использовать TVS, RC-цепи или буферные сети для подавления импульсов и перенапряжений. Для проверки надежности следует оценить SOA и выполнить испытания при термоциклировании.

6. Примечания
Параметры приведены для заданных условий испытаний; фактические характеристики зависят от охлаждения, рабочей частоты и окружающей среды и требуют оценки в целевой системе.
Устройство чувствительно к статическому электричеству; при монтаже и испытаниях следует соблюдать меры защиты ESD.
При высоком dv/dt следует проверить изоляцию затвора и запас по напряжению, чтобы избежать ложного включения или отказа устройства.