WMSIC Электронные компоненты

SILAN SVF4N150PF

МодельSVF4N150PF
КорпусTO-3PF
БрендSILAN
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
SILAN SVF4N150PF
Тип
SILAN
Минимальная упаковка
450 盒

Технические параметры

Упаковка
корпусная упаковка
Бренд
SILAN
Модель
SVF4N150PF
Шаг
1
Корпус
TO-3PF
Количество
1 N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
7.19g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0264684948
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
73W
Минимальная упаковочная единица
коробка
Минимальное количество в упаковке
450
Напряжение сток-исток (Vdss)
1.5kV
Входная емкость (Ciss)
1.034nF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

SVF4N150PF — N-канальный MOSFET на 1.5kV

Описание
SVF4N150PF — высоковольтный N-канальный полевой транзистор в корпусе TO-3PF. Номинальное напряжение сток–исток Vdss = 1.5kV. Подходит для силовых ключевых схем с высоким рабочим напряжением и умеренным током. Диапазон рабочих температур: -55℃ до +150℃.

Основные параметры
Vdss = 1.5kV: максимальное статическое напряжение сток–исток — 1500V.
Id (непрерывный) = 4A: максимальный непрерывный ток около 4A при идеальных условиях охлаждения; фактический ток зависит от теплового сопротивления и условий отвода тепла.
RDS(on) = 5Ω @ Vgs=10V: повышенное сопротивление открытого канала подходит для высоковольтных применений с небольшим током. При увеличении тока возрастают потери проводимости: например, при I=1A Pd≈5W, при I=2A Pd≈20W.
Pd = 73W (обычно при Tc=25℃): максимальная рассеиваемая мощность достижима при эффективном охлаждении; при недостаточном охлаждении требуется снижение нагрузки.
Vgs(th) = 3V: для полного открывания при логическом управлении, например 5V, напряжения может быть недостаточно. Для приближения к номинальному RDS(on) рекомендуется управление напряжением 10~12V.
Ciss ≈ 1.034nF, Crss ≈ 12pF: входная ёмкость умеренная, полный заряд затвора невелик; ориентировочная оценка Qg ≈ Ciss×Vgs ≈ 10nC. Низкая Crss помогает уменьшить влияние эффекта Миллера при переключении.

Типичные применения
Высоковольтные импульсные источники питания с гальванической развязкой или без неё;
высокочастотные высоковольтные импульсные схемы, оборудование для старения компонентов и испытаний;
коммутация светильников, индуктивных балластов и высоковольтных выпрямителей;
последовательное соединение нескольких приборов для повышения допустимого тока, надёжности или распределения напряжения с защитой; требуется обеспечить выравнивание напряжений и синхронизацию управления.

Тепловой режим и безопасность
Из-за высокого RDS(on) потери проводимости могут ограничивать рабочий ток. Оценка безопасного непрерывного тока по Pd и RDS(on): I_safe ≈ sqrt(Pd / RDS(on)) ≈ sqrt(73/5) ≈ 3.8A при идеальном охлаждении и Tc=25℃. При практическом применении учитывайте рост температуры перехода и снижение допустимой нагрузки.
Необходим эффективный отвод тепла: радиатор большой площади, теплопроводная прокладка и надёжное крепление болтами. Соблюдайте рекомендованные изготовителем правила монтажа и затяжки; изолирующая прокладка увеличивает тепловое сопротивление.
В высоковольтных ключевых схемах рекомендуется использовать цепи поглощения перенапряжений (RC, RC+TVS) или снаббер для ограничения импульсных выбросов и поглощения энергии.

Рекомендации по управлению и переключению
Рекомендуемое напряжение управления затвором — 10~12V для приближения к номинальному RDS(on). Порог 3V означает, что управление от 5V может не обеспечить низкое сопротивление открытого канала.
Для подавления звона и управления скоростью переключения можно использовать резистор затвора 10–47Ω. При необходимости добавьте ограничение напряжения на затворе и RC-цепь для снижения ложного включения из-за dv/dt.
Низкая Crss помогает уменьшить задержку выключения, связанную с эффектом Миллера. При быстром переключении на высоком напряжении учитывайте электромагнитную совместимость и распределение электрических нагрузок.

Корпус и надёжность
Корпус TO-3PF предназначен для силовых применений и крепления болтами, обеспечивая эффективный отвод тепла. Учитывайте изоляцию и заземление, а также влияние теплового сопротивления на допустимую мощность.
Широкий диапазон рабочих температур (-55℃ до +150℃) позволяет использовать прибор в тяжёлых условиях. Долговременная надёжность зависит от термоциклирования, контроля температуры перехода и ограничения электрических нагрузок.
SVF4N150PF подходит для ключевых схем с высоким напряжением и низким или умеренным током. При проектировании учитывайте тепловой режим, управление затвором и защиту от перенапряжений.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.