WMSIC Электронные компоненты

SILAN SVF3878PN

МодельSVF3878PN
КорпусTO-3P-3
БрендSILAN
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
SILAN SVF3878PN
Тип
SILAN
Минимальная упаковка
600

Технические параметры

Бренд
SILAN
Модель
SVF3878PN
Шаг
1
Корпус
TO-3P-3
Количество
1 N-канальный
Тип
N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
6.76g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0231143399
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
150W
Минимальное количество в упаковке
600
Напряжение сток-исток (Vdss)
900V
Входная емкость (Ciss)
2.009nF
Выходная емкость (Coss)
208pF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

SVF3878PN — высоковольтный N-канальный MOSFET с индуцированным каналом, предназначенный для высоковольтных ключевых схем.

Основные параметры

Напряжение сток–исток Vdss: 900V
Непрерывный ток стока Id: 9A
Рассеиваемая мощность Pd: 150W, зависит от условий охлаждения
Сопротивление открытого канала RDS(on): около 1Ω при Vgs = 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th): 4.5V при 250μA
Заряд затвора Qg: 68nC при 10V
Входная емкость Ciss: 2.009nF
Выходная емкость Coss: 208pF
Емкость обратной передачи Crss: 47pF
Рабочая температура: от -55℃ до +150℃
Корпус: TO-3P-3

Типичные области применения: автономные импульсные источники питания, схемы коррекции коэффициента мощности (PFC), драйверы высоковольтного освещения и светодиодные источники постоянного тока, высоковольтные инверторы и промышленные источники питания, высоковольтные ключевые и защитные схемы.

Для получения низких потерь проводимости рекомендуется управлять затвором напряжением порядка 10V. Заряд затвора 68nC требует значительного тока драйвера при включении и выключении; рекомендуется низкоомный драйвер и последовательный резистор затвора Rg в диапазоне 10Ω~100Ω с учетом требований к EMI и скорости переключения. При проектировании следует учитывать компромисс между скоростью переключения, потерями и электромагнитными помехами; для снижения нагрузки можно применять схемы мягкого переключения, RC- или RC-диодно-цепи снаббера и схемы рекуперации энергии.

В высоковольтных ключевых схемах для ограничения пикового Vds рекомендуется использовать ограничение скорости нарастания, RC-снаббер, TVS или RCD-снаббер. Допустимая рассеиваемая мощность зависит от отвода тепла. Для улучшения охлаждения применяют медные площадки большой площади, радиаторы и термоинтерфейсные материалы; тепловое сопротивление переход–окружающая среда рассчитывают по полному техническому описанию.

Корпус TO-3P-3 подходит для установки на радиатор. На печатной плате рекомендуется предусмотреть теплоотводящие медные участки и тепловые переходные отверстия для соединения слоев меди. Перед проектированием следует сверить максимальные параметры, включая максимальное Vgs, энергию лавинного пробоя EAS и кривые SOA, с полным техническим описанием.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.