TWGMC BC857C PNP-транзистор

BC857C — маломощный PNP-транзистор в корпусе SOT-23 для усиления малых сигналов и низкопотребляющих переключательных схем.

Тип транзистора: PNP
Максимальный ток коллектора Ic: 100 mA
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo: 45 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd (SOT-23): 300 mW
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 420 (типовое значение, Ic = 2 mA, VCE = 5 V)
Граничная частота fT: 100 MHz
Обратный ток коллектора Icbo: 15 nA
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер VCE(sat): около 300 mV (типовое значение при заданных условиях управления)
Рабочий температурный диапазон: -65 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT-23

Ток коллектора Ic = 100 mA поддерживает кратковременное переключение и управление нагрузками со средним током. При длительной работе учитывайте тепловые возможности корпуса и ограничение Pd.

Напряжение пробоя Vceo = 45 V допускает применение в схемах с повышенным напряжением, включая автомобильную электронику и промышленную измерительную аппаратуру. Фактическое напряжение не должно превышать номинальное.

Рассеиваемая мощность Pd = 300 mW. Допустимая мощность зависит от площади монтажа корпуса и теплоотвода на медных участках PCB.

Коэффициент усиления hFE = 420 при Ic = 2 mA и VCE = 5 V обеспечивает высокое усиление тока при малом сигнале. Подходит для каскадов предварительного усиления, цепей смещения и управления высокоомными нагрузками. hFE зависит от Ic, VCE и температуры и снижается при больших токах и насыщении.

Граничная частота fT = 100 MHz подходит для усиления сигналов от звукового до повышенного частотного диапазона, в том числе в буферах и простых входных ВЧ-каскадах.

Обратный ток коллектора Icbo = 15 nA подходит для низкопотребляющих и высокоомных цепей.

Напряжение насыщения VCE(sat) ≈ 300 mV снижает потери при переключении. Фактическое значение зависит от тока базы и соотношения IB/IC.

Компактный корпус SOT-23 подходит для поверхностного монтажа и плат с ограниченным пространством. Для улучшения теплоотвода используйте увеличенные медные участки и переходные отверстия.

Типовые применения: усиление малых сигналов в портативных устройствах и предварительных каскадах; переключение малых токов, преобразование уровней и инвертирование сигналов; цепи смещения и источники постоянного тока; интерфейсы аккумуляторов, измерительных приборов и датчиков; предварительные каскады маломощных аудиосхем.

При проектировании учитывайте ограничение Pd = 300 mW и тепловое снижение допустимой нагрузки. Проверяйте hFE в целевой рабочей точке и обеспечивайте достаточный ток базы для низкого VCE(sat) при переключении в насыщение. Учитывайте полярность PNP и защиту от переходных и обратных напряжений. При параллельном включении нескольких транзисторов предусмотрите подбор компонентов и выравнивание токов. Для проверки выводов, условий измерения и предельных значений используйте полный технический паспорт.