TWGMC MMBT3906T PNP-транзистор

MMBT3906T — высокочастотный малосигнальный PNP-транзистор в миниатюрном корпусе SOT-523. Предназначен для низковольтных маломощных схем коммутации и усиления, в том числе для портативной электроники с ограниченным пространством.

Основные электрические параметры
Тип: малосигнальный PNP-транзистор.
Корпус: SOT-523.
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 60 при 0.1 mA, 1 V (типичное значение при малом токе).
Максимальный ток коллектора Ic: 200 mA.
Напряжение пробоя коллектор—эмиттер Vceo: 40 V.
Ток отсечки коллектора Icbo: 100 nA.
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер VCE(sat): около 250 mV.
Граничная частота fT: 250 MHz.
Рассеиваемая мощность Pd: 150 mW.
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃.

При токе 0.1 mA значение hFE около 60 подходит для малосигнального усиления и низкого тока смещения. При увеличении тока коэффициент усиления снижается. Граничная частота fT около 250 MHz подходит для высокочастотного усиления; фактические усиление и полоса зависят от нагрузки и режима смещения. Для высокочастотных схем следует учитывать паразитные емкости и индуктивности. Напряжение Vceo = 40 V и ток утечки Icbo = 100 nA подходят для низковольтных систем с низким потреблением в режиме ожидания. При длительной работе с высоким Ic или высокой частотой коммутации следует учитывать ограниченный теплоотвод корпуса и Pd = 150 mW. Напряжение VCE(sat) около 250 mV зависит от тока управления базой.

Типичные применения: малосигнальные усилители аудио- и сенсорных сигналов, низковольтная коммутация, управление периферией микроконтроллеров и малым током LED, преобразование уровней, комплементарные усилительные и двухтактные каскады с NPN-транзисторами, высокочастотные и промежуточночастотные маломощные каскады, портативная электроника и IoT-устройства.

Для монтажа с высокой плотностью компонентов следует соблюдать рекомендуемые размеры контактных площадок. Увеличение площади меди может улучшить теплоотвод. В высокочастотных схемах рекомендуется сокращать длину сигнальных проводников и использовать плоскость земли с подходящим контролем импеданса. Назначение выводов следует сверять с документацией на конкретный корпус и компонент.

При длительном токе, приближающемся к десяткам миллиампер, следует оценить рассеиваемую мощность и тепловой режим. Параметры VCE(sat) и hFE зависят от условий испытаний. При производстве следует соблюдать профиль пайки и меры защиты от статического электричества.