UMW MMBTA06

MMBTA06 — маломощный высоковольтный NPN-биполярный транзистор в корпусе SOT-23.

Основные характеристики

Максимальный ток коллектора (Ic): 500 mA.
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo): 80 V.
Рассеиваемая мощность (Pd): 300 mW.
Коэффициент передачи постоянного тока (hFE): 100 при Ic=10 mA, VCE=1 V (типовое значение).
Граничная частота (fT): 100 MHz.
Ток утечки коллектора (Icbo): 100 nA (типовое значение).
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 250 mV.
Напряжение пробоя эмиттер-база (Vebo): 4 V.
Рабочая температура: -55 ℃…+150 ℃.
Корпус: SOT-23.

Применение

Низкомощные переключатели и драйверы реле, оптронов, небольших двигателей и электромагнитных нагрузок; предварительный каскад управления затвором MOSFET; усилители малой и средней мощности, буферы и интерфейсные схемы; управление питанием, обнаружение короткого замыкания и перегрузки, коммутация высоковольтных сигналов; преобразование уровней и управление переключением в датчиках и коммуникационных модулях.

Рекомендации по проектированию

При номинальной рассеиваемой мощности 300 mW учитывайте температуру окружающей среды и теплоотвод от платы. Для улучшения отвода тепла увеличьте площадь медного слоя или используйте тепловые площадки.

Для работы в режиме насыщения обеспечьте достаточный ток базы. При больших токах hFE снижается; ориентировочное соотношение тока базы к току коллектора — Ib≈Ic/10…Ic/20.

В высокоскоростных схемах учитывайте паразитные ёмкости и трассировку, сокращайте длину цепей базы и входа. Ограничивайте обратное напряжение база-эмиттер с учётом Vebo=4 V; при необходимости предусмотрите защитный диод или ограничение тока.

Для монтажа SMT используйте рекомендованные контактные площадки и профиль оплавления. При проектировании платы подключайте теплоотводящие медные участки к внутренним или нижним слоям через переходные отверстия. Проверьте распиновку и размеры площадок по технической документации на конкретное исполнение.