UTC 4N80L-TN3-R

4N80L-TN3-R

Описание
Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET в корпусе TO-252-2 (DPAK) для поверхностного монтажа. Напряжение сток–исток Vdss=800V. Предназначен для ключевых схем с высоким напряжением и малым или средним током.

Основные параметры

Тип: N-канальный MOSFET
Напряжение сток–исток Vdss: 800V
Непрерывный ток стока Id: 4A (зависит от условий охлаждения)
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 50W (зависит от охлаждения и температуры окружающей среды)
Сопротивление открытого канала RDS(on): 3Ω @ Vgs=10V, Id=2A
Пороговое напряжение Vgs(th): 5V
Заряд затвора Qg: 19nC @ Vgs=10V
Входная емкость Ciss: 680pF; емкость обратной передачи Crss: 8.6pF; выходная емкость Coss: 75pF
Корпус: TO-252-2 (DPAK)
Количество: 1 шт.

Характеристики

Класс напряжения 800V подходит для первичных ключей импульсных источников питания, топологий flyback и forward, а также высоковольтных схем.

Корпус TO-252 (DPAK) подходит для автоматизированного монтажа и теплоотвода на плате.

Сопротивление открытого канала 3Ω указано при Vgs=10V; условие измерения — Id=2A.

Заряд затвора 19nC и входная емкость 680pF обеспечивают баланс потерь переключения и требований к драйверу при средних частотах переключения.

Типовые области применения

Первичный силовой ключ автономного импульсного источника питания, включая схемы flyback и квазирезонансные схемы

Светодиодные драйверы и источники питания освещения

Промышленные источники питания и схемы управления бытовой техникой, требующие высоковольтного ключа

Защитные схемы и ключевые узлы, рассчитанные на высоковольтные импульсы

Рекомендации по применению и разводке

Для достижения указанного RDS(on) используйте напряжение затвора 10V или выше. При управлении напряжением 12–15V проверьте, что оно не превышает максимальное значение Vgs по технической документации.

Заряд затвора Qg=19nC предъявляет требования к току драйвера при высокой частоте переключения. Драйвер должен быстро заряжать и разряжать затвор, чтобы снизить потери переключения.

Для защиты от перенапряжения, вызванного индуктивной нагрузкой или паразитной индуктивностью, предусмотрите цепь RCD/snubber или TVS со стороны стока. Последовательный резистор в цепи затвора и подтягивающий резистор помогают подавить звон и ложное срабатывание.

Теплоотвод корпуса DPAK зависит от конструкции медных областей и контактных площадок печатной платы. Увеличьте площадь меди и используйте переходные отверстия для отвода тепла к внутренним слоям. Рассчитывайте рабочую точку с учетом номинала Pd=50W, температуры окружающей среды и теплового сопротивления.

Сократите длину проводников силового контура, увеличьте площадь контактных площадок и обеспечьте качественное заземление для уменьшения паразитной индуктивности и теплового сопротивления.

Замечания по выбору

RDS(on)=3Ω может приводить к заметным потерям при длительной работе с высоким током. Оцените соответствие параметра условиям применения.

Параметры RDS(on) и Id в технических таблицах указаны для определенных условий измерения. При выборе учитывайте полную документацию, температурную зависимость и предельные значения.

Для защиты от переходных импульсов предусмотрите защитные компоненты, особенно если характеристики поглощения энергии для устройства не указаны.