UTC 2SD669AL-D-TN3-R

2SD669AL-D-TN3-R — NPN биполярный транзистор средней мощности с напряжением пробоя коллектор–эмиттер до 160V, максимальным током коллектора 1.5A и рассеиваемой мощностью 2W. Корпус для поверхностного монтажа TO-252-2 (DPAK). Предназначен для высоковольтных схем переключения и усиления мощности.

Основные характеристики:
Коэффициент усиления по постоянному току hFE ≈ 160 (условия измерения: Ic=150mA, Vce=5V)
Обратный ток коллектора Icbo ≤ 10μA
Граничная частота fT ≈ 140MHz
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер VCE(sat) ≈ 1V
Обратное напряжение пробоя база–эмиттер Vebo = 5V

Типичные области применения: высоковольтные схемы переключения, повышающие и понижающие преобразователи DC-DC, вспомогательные каскады импульсных источников питания, управление реле и электромагнитными клапанами, низкобоковое управление шаговыми и DC-двигателями, предварительное усиление аудиосигнала, усиление малых сигналов и преобразование уровней, промышленная автоматика и бытовая электроника.

Корпус TO-252-2 (DPAK) подходит для автоматизированного монтажа и пайки оплавлением. Рассеиваемая мощность Pd=2W указана без дополнительного теплоотвода. Для снижения теплового сопротивления между переходом и корпусом рекомендуется использовать на PCB медную площадку увеличенной площади, тепловые переходные отверстия или специальную теплоотводящую площадку. При длительной работе с высоким током проверьте температуру перехода и безопасную область работы (SOA), предусмотрев необходимый тепловой запас.

Рекомендации по применению:
Для быстрого перехода в насыщение используйте резистор ограничения тока базы и рассчитайте ток базы по требуемому Ic; ограничивайте обратное напряжение VBE.
При работе с индуктивной нагрузкой подключите параллельно диод свободного хода или RC-цепь подавления, чтобы предотвратить пробой от выбросов напряжения.
Для распределения тока при параллельном включении рекомендуется установить небольшой резистор последовательно с эмиттером каждого транзистора.
При высокой температуре окружающей среды или работе вблизи максимального Ic предусмотрите запас по мощности Pd.

Типовая схема низкобокового переключателя: эмиттер подключён к земле, коллектор соединён с нагрузкой, которая подключена к положительному источнику питания; база управляется от MCU или драйвера через ограничительный резистор. В импульсных источниках питания транзистор может использоваться как ключ или транзистор драйверного каскада совместно с драйверной схемой и цепью подавления.