MOSFET Vishay 2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3 — N-канальный MOSFET производства VISHAY в корпусе TO-236 для поверхностного монтажа. Предназначен для коммутации в схемах с низким напряжением питания, управления мощностью, импульсных источниках питания и низкочастотных усилителях.

Основные параметры
Напряжение сток-исток (Vdss): 60V.
Непрерывный ток стока (Id): 300mA (при 25°C).
Пороговое напряжение затвор-исток (Vgs(th)): 2.5V @ 250µA.
Сопротивление сток-исток во включённом состоянии (Rds(on)): 2Ω @ 500mA, 10V.
Максимальная рассеиваемая мощность: 350mW (при 25°C).
Диапазон рабочих температур: -55°C до 150°C (TJ).
Тип корпуса: TO-236.
Входная ёмкость (Ciss): 30pF @ 25V.
Заряд затвора (Qg): 0.6nC @ 4.5V.

Электрические характеристики
Пороговое напряжение затвор-исток 2.5V позволяет выполнять коммутацию при низком напряжении управления. Максимальное сопротивление во включённом состоянии составляет 2Ω. Компонент предназначен для высокочастотной коммутации и управления питанием.

Области применения
Силовые ключи, включая схемы управления маломощными двигателями постоянного тока.
Управление освещением и яркостью LED.
Импульсные источники питания (SMPS).
Коммутация сигналов, в том числе в портативной электронике.
Узлы управления систем автоматизации.

Монтаж и корпус
Корпус TO-236 занимает мало места на плате и подходит для автоматизированного монтажа и пайки.