VISHAY SI4101DY-T1-GE3

Обзор SI4101DY-T1-GE3

Основные параметры
SI4101DY-T1-GE3 — силовой P-канальный MOSFET в корпусе SO-8, рассчитанный на системы до 30 V.

Напряжение сток–исток Vdss: 30 V
Непрерывный ток стока Id: 25.7 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 6 mΩ при |Vgs| = 10 V (для P-канального прибора Vgs = -10 V)
Пороговое напряжение Vgs(th): около 1 V
Полный заряд затвора Qg: 65 nC при 4.5 V
Входная ёмкость Ciss: 8.19 nF
Ёмкость обратной передачи Crss: 715 pF
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 2.9 W
Рабочая температура: от -55 ℃ до +150 ℃
Корпус: SO-8, один P-канальный прибор

Низкое сопротивление открытого канала при |Vgs| = 10 V и высокий непрерывный ток подходят для силовых цепей с низкими потерями проводимости.

Тепловой режим и монтаж
Для рассеивания тепла увеличьте площадь медных полигонов. При необходимости соедините слои платы тепловыми переходными отверстиями. Используйте короткие широкие площадки и дорожки. При высокой температуре окружающей среды или длительной работе с большим током оцените температуру перехода и предусмотрите дополнительное охлаждение.

Управление затвором и коммутация
Значения Qg = 65 nC и Ciss = 8.19 nF указывают на необходимость достаточного тока драйвера при заданной частоте переключения. Crss = 715 pF может усиливать эффект Миллера и вызывать звон при быстрых переключениях; последовательный резистор затвора помогает контролировать dv/dt и EMI. Для включения P-канального прибора напряжение затвора должно быть ниже напряжения истока, например Vgs = -10 V; учитывайте полярность управляющего сигнала и ограничения по напряжению.

Области применения
Высокобоковой ключ и управление питанием в системах до 30 V, включая управление аккумуляторами и выбор источника питания, отключение нагрузки, защиту от обратной полярности и распределение питания.

При напряжении системы, близком к 24 V, или при наличии импульсных перенапряжений учитывайте запас по напряжению и возможность применения TVS и ограничения тока. Для высокочастотной коммутации оцените совокупные потери. При проектировании платы обеспечьте отвод тепла и низкоимпедансные токовые контуры.