WILLSEMI WNM2030-3/TR

1 / 3

Основное фото

МодельWNM2030-3/TR

КорпусSOT-723

БрендWILLSEMI

Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.

Configuration

1 options

Configuration Electronic Component

Available for RFQ

Отправить RFQ Связаться с поддержкой

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара: WILLSEMI WNM2030-3/TR
Тип: WILLSEMI
Минимальная упаковка: 8000 圆盘

Технические параметры

Упаковка: Лента
Бренд: WILLSEMI
Модель: WNM2030-3/TR
Шаг: 1
Корпус: SOT-723
Количество: 1 N-канальный
Тип: N-канальный
Категория: Полевой транзистор (MOSFET)
Вес: 0.013g
Минимальный заказ: 1
Артикул: BM0257640869
Рабочая температура: 55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd): 430mW
Минимальная упаковочная единица: Диск
Минимальное количество в упаковке: 8000
Напряжение сток-исток (Vdss): 20V

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

Описание: WNM2030-3/TR

WNM2030-3/TR — N-канальный MOSFET производства WILLSEMI. Компонент предназначен для современных электронных устройств с высокими требованиями к эффективности и компактности. Применяется в импульсных источниках питания, усилителях сигналов и схемах управления питанием. Корпус SOT-723 подходит для портативных устройств и конструкций с ограниченным пространством.

Основные характеристики

Номинальная мощность: 370mW
Напряжение сток–исток (Vds): 20V
Ток стока (Id): 880mA
Тип канала: N-канальный
Корпус: SOT-723

Конструкция и характеристики

WNM2030-3/TR имеет N-канальную структуру и низкое сопротивление в открытом состоянии, что позволяет уменьшить потери мощности при значительном токе. Максимальный ток стока составляет 880mA.

Принцип работы MOSFET основан на эффекте электрического поля: когда напряжение на затворе (Gate) превышает пороговое, канал открывается и ток протекает от стока (Drain) к истоку (Source). По сравнению с биполярными транзисторами (BJT) MOSFET отличается высокой скоростью переключения, высоким входным сопротивлением и хорошей температурной стабильностью.

Применение

Импульсные источники питания: компактный корпус и высокая эффективность помогают снизить потери мощности на холостом ходу и улучшить стабилизацию напряжения.

Управление двигателями: быстрое переключение подходит для точного управления небольшими электродвигателями, в том числе в игрушках, бытовой технике и портативных устройствах.

Усилители сигналов: заявленные характеристики высокого усиления и низкого уровня шума подходят для аудиоусилителей и других схем обработки сигналов.

Драйверы LED: управление временем открытого состояния MOSFET позволяет регулировать яркость LED.

Рекомендации по проектированию

Напряжение управления: напряжение на затворе должно превышать пороговое, чтобы MOSFET полностью открывался.

Теплоотвод: несмотря на низкие потери мощности, при нагрузках выше номинального тока требуется обеспечить надлежащий отвод тепла.

Ограничение тока: предусмотрите защиту от чрезмерного тока, чтобы предотвратить повреждение MOSFET.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Email Страна / регион

Описание запроса

Вложение / BOM (необязательно)

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.