WILLSEMI WNMD2171-4/TR

WNMD2171-4/TR — двухканальный N-канальный MOSFET WILLSEMI в корпусе CSP-4L. Предназначен для мобильных аккумуляторов, портативных устройств и автомобильной электроники, где важны компактность и низкие потери проводимости. Подходит для коммутации и управления силовыми сигналами в системах питания 12 V и низковольтных системах.

Основные параметры
Количество каналов: 2 N-канальных канала.
Напряжение сток–исток Vdss: 20 V.
Сопротивление открытого канала RDS(on): 38 mΩ при Vgs = 4.5 V, Id = 3 A.
Емкость обратной передачи Crss: 135 pF при Vds = 10 V.
Диапазон рабочих температур: -40 °C ~ +150 °C.

Особенности
Низкое RDS(on) при напряжении затвора 4.5 V снижает потери проводимости и нагрев. Совместимость с логическим уровнем 4.5 V упрощает управление от MCU или драйвера.
Компактный корпус CSP-4L позволяет уменьшить площадь PCB. Crss = 135 pF при Vds = 10 V характеризует емкостную связь затвора и переключение.

Типичные применения
Мобильные аккумуляторы и портативные зарядные устройства: синхронное выпрямление, силовая коммутация и защитные цепи.
Управление аккумулятором и переключение цепей заряда и разряда.
Автомобильная электроника в системах 12 V и бытовая электроника: управление двигателями, маломощные DC-DC-преобразователи, переключатели нагрузки и сигналов.
Вспомогательные ключи PMIC и модулей управления питанием.

Рекомендации по применению
Для достижения указанного RDS(on) обеспечьте напряжение затвора не менее 4.5 V. При более высоком напряжении затвора учитывайте максимально допустимое значение Vgs.
При быстром переключении Crss = 135 pF может увеличить потери управления и ток обратного выброса. Учитывайте частоту переключения и возможности драйвера; для снижения звона и EMI используйте подходящие демпфирующие компоненты, например RC-цепь, резистор затвора или буфер драйвера.
При больших токах предусмотрите отвод тепла с помощью площади медного слоя, теплоотвода или тепловых переходных отверстий в многослойной PCB. CSP чувствителен к конструкции контактных площадок и тепловому пути.
Два канала можно использовать для независимого управления или параллельного соединения для снижения эквивалентного RDS(on). При параллельном включении обеспечьте синхронное управление, сопоставимое сопротивление дорожек и эффективный отвод тепла.
MOSFET чувствителен к электростатическому разряду; соблюдайте меры защиты ESD при производстве и монтаже.

Корпус CSP-4L подходит для плотного монтажа и автоматической установки. Механическая прочность и теплоотвод зависят от конструкции площадок и процесса пайки оплавлением. Диапазон температур -40 °C ~ +150 °C подходит для промышленных и автомобильных применений; при экстремальных температурах учитывайте долговременный дрейф параметров и стойкость к термоциклированию.

В высокочастотных схемах используйте подходящие резистор затвора и драйвер для снижения звона и EMI. При применении для синхронного выпрямления или в качестве нижнего ключа согласуйте опорные потенциалы схемы управления, чтобы избежать обратного напряжения и перенапряжения во время переключения. При выборе учитывайте предельные параметры, импульсный ток, тепловое сопротивление и типовые характеристики.