WILLSEMI ESDA6V8V6-6/TR

ESDA6V8V6-6/TR — пятик канальный однонаправленный супрессор переходных напряжений (TVS) для защиты интерфейсов с уровнем 5V от электростатических разрядов (ESD) и быстрых электрических переходных процессов (EFT).

Параметры: рабочее обратное напряжение Vrwm = 5V; напряжение пробоя Vbr ≈ 7.2V; типичное напряжение ограничения Vc ≈ 12.5V; пиковый импульсный ток Ipp = 16A (8/20μs); пиковая импульсная мощность Ppp = 300W (8/20μs); обратный ток утечки Ir ≤ 500nA; типичная емкость перехода Cj ≈ 50pF. Однонаправленная структура, пять каналов, корпус SOT-563, рабочая температура -55℃…+125℃. Соответствует уровням защиты IEC 61000-4-2 (ESD) и IEC 61000-4-4 (EFT).

Типовые области применения: защита линий данных и сигналов USB, TTL, I2C и SPI с уровнем 5V; защита портов устройств, узлов Интернета вещей, оборудования безопасности, измерительных приборов и автомобильной электроники; защита внешних разъемов платы, например кабелей датчиков и кнопок; многоканальная защита компактной бытовой электроники.

Однонаправленное устройство ограничивает переходные выбросы в прямом направлении и предназначено для систем с определенной опорой на землю. Для несимметричных или двунаправленных сигналов, включая высокоскоростные дифференциальные линии, следует оценить применимость. Vrwm = 5V подходит для режимов с постоянным смещением до 5V. При импульсе высокого уровня напряжение ограничивается примерно до 12.5V. Параметры Ipp/Ppp (8/20μs) характеризуют способность поглощать кратковременные мощные импульсы. Емкость Cj = 50pF может влиять на высокоскоростные сигналы и широкополосные интерфейсы.

Компактный корпус SOT-563 подходит для плотного монтажа на PCB. Размещайте TVS между защищаемым интерфейсом и разъемом, сокращая путь высокочастотного возвратного тока. Предусмотрите низкоимпедансное соединение с землей и оцените влияние Cj на целостность сигнала. Для дифференциальных или двунаправленных шин проверьте пригодность однонаправленного устройства. Соблюдайте стандартный процесс пайки оплавлением для SOT-563.

При длительной работе около Vrwm может увеличиваться ток утечки; для малопотребляющих схем учитывайте Ir ≤ 500nA. После многократных импульсов высокой энергии характеристики устройства могут ухудшиться.