WILLSEMI WPT2N32-6/TR

WPT2N32-6/TR — N-канальный MOSFET с индуцированным каналом, разработанный WILLSEMI. Корпус DFN2x2-6L оптимизирован для компактных плат с низким энергопотреблением. Характеристики включают низкое сопротивление открытого канала и широкий диапазон рабочих температур. Применяется в портативной электронике и носимых устройствах.

Основные сведения
Тип прибора: N-канальный MOSFET с индуцированным каналом.
Полное обозначение: WPT2N32-6/TR.
Корпус: DFN2x2-6L, 2×2mm, 6 выводов.
Области применения: портативная электроника, носимые и компактные потребительские устройства малой мощности.

Электрические параметры
Максимальный непрерывный ток стока (ID): 800mA.
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 205mΩ.
Диапазон рабочих температур: -40℃~+85℃.
Типичное напряжение пробоя сток-исток (VDS): 32V. Подходит для систем низкого напряжения 3.3V~12V.

Корпус и физические характеристики
Корпус DFN2x2-6L имеет размеры 2×2mm. Тепло отводится через контактные площадки на плату. Шесть выводов включают сток D, исток S, затвор G и дополнительные выводы.

Типичные области применения
Портативные устройства: управление питанием, переключение низкомощных цепей и управление светодиодной подсветкой.
Носимые устройства: управление питанием датчиков, включая датчики сердечного ритма и акселерометры.
Компактная потребительская электроника: вспомогательное управление зарядкой TWS Bluetooth-наушников и беспроводных зарядных устройств; переключение заряда и разряда аккумуляторов ёмкостью 100mAh~500mAh.
Промышленное управление: коммутация маломощных датчиков температуры и давления.

Компактный корпус подходит для плотного монтажа на PCB, а указанные электрические параметры и диапазон температур поддерживают применение в маломощных схемах коммутации и управления.