WINSOK WSD30L68DN33

WSD30L68DN33 — обзор продукта

WSD30L68DN33 — высокопроизводительный траншейный P-канальный MOSFET в корпусе DFN-8 (3×3), предназначенный для компактных источников питания и синхронных понижающих преобразователей.

Основные характеристики
Тип: P-канальный MOSFET
Напряжение сток–исток (Vdss): 30 V
Непрерывный ток стока (Id): 68 A
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 5.8 mΩ (тип. при напряжении управления 10 V)
Полный заряд затвора (Qg): 60 nC (@10 V)
Входная емкость (Ciss): 3.415 nF
Выходная емкость (Coss): 245 pF
Емкость обратной передачи (Crss): 131 pF
Рассеиваемая мощность (Pd): 69 W
Пороговое напряжение (Vgs(th)): около 1.3 V
Рабочий диапазон температур: -55 ℃ ～ +150 ℃
Корпус: DFN-8 (3×3)

Низкое сопротивление открытого канала и непрерывный ток 68 A помогают снизить потери проводимости при больших токах и малом падении напряжения. Заряд затвора 60 nC обеспечивает баланс между потерями проводимости, переключения и управления. Данные Ciss/Coss/Crss подходят для оценки потерь при переключении, эффекта Миллера и напряжения. Корпус обеспечивает компактный монтаж.

Типичные области применения: синхронные понижающие преобразователи, верхние ключи, управление питанием и нагрузкой, защита от обратного тока, системы питания от аккумуляторов, портативные устройства, промышленное управление и автомобильная электроника при соответствии требованиям по температуре и надежности.

Рекомендации по проектированию
Параметры RDS(on) и Qg указаны при напряжении управления 10 V. Для P-канального MOSFET при включении следует подать достаточное отрицательное напряжение затвор–исток в пределах допустимого диапазона Vgs.

Номинальная мощность Pd составляет 69 W, а отвод тепла корпуса DFN-8 зависит от конструкции платы. Для снижения теплового сопротивления рекомендуется использовать медные участки большой площади, тепловые переходные отверстия и нижнюю площадку.

При работе на высокой частоте следует учитывать входную емкость Ciss, заряд затвора Qg, возможности драйвера и потери переключения. При необходимости следует оптимизировать мертвое время и схему управления для уменьшения потерь при перекрытии переключений.

В быстрых схемах переключения эффект Миллера, связанный с Crss, может вызвать ложное включение. Для его подавления можно использовать резистор затвора, RC-цепь или драйвер с функцией подавления эффекта Миллера. В схеме также рекомендуется предусмотреть защиту от импульсных перенапряжений и сверхтока.

Компактный корпус DFN-8 (3×3) подходит для плат с высокой плотностью монтажа и требованиями к охлаждению. Оптимизация тепловой конструкции платы и управления затвором позволяет эффективно использовать характеристики устройства.