WINSOK WSF60100

WSF60100 — N-канальный MOSFET с индуцированным каналом

WSF60100 — N-канальный MOSFET производства WINSOK для силовых схем низкого напряжения с большим током.

Основные параметры:

• Напряжение пробоя сток—исток (Vdss): 60V.
• Непрерывный ток стока (Id): 100A при 25℃.
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 6mΩ при Vgs=10V и Id=20A.
• Рассеиваемая мощность (Pd): 150W при 25℃.
• Пороговое напряжение (Vgs(th)): 2V, типовое значение.
• Заряд затвора (Qg): 54nC при Vgs=4.5V и Id=100A.
• Входная ёмкость (Ciss): 4.055nF при Vds=48V.
• Ёмкость обратной передачи (Crss): 18pF при Vds=48V.
• Диапазон температур перехода (Tj): -55℃…+175℃.
• Корпус: TO-252 (DPAK), размер 6.5×5.8mm.

Корпус TO-252 предназначен для поверхностного монтажа и оснащён теплоотводящей площадкой. При площади медного слоя печатной платы ≥10cm² тепловое сопротивление (Rθja) может составлять менее 1.2℃/W.

Типовые области применения: преобразователи DC-DC, низковольтные импульсные источники питания с выходным током 10A~50A, приводы двигателей постоянного тока и шаговых двигателей, системы управления и защиты аккумуляторных батарей, переключатели нагрузки и маломощные инверторы с выходной мощностью 100W~500W.

При проектировании следует учитывать максимальное напряжение затвора ±20V, отвод тепла при температуре окружающей среды выше 25℃ и снижение допустимого тока: около 60A при 75℃ и 40A при 100℃. Для управления переключением указан рекомендуемый диапазон сопротивления затвора Rg=10Ω~100Ω.