WINSOK WSD75100DN56

WSD75100DN56 — силовой MOSFET с N-каналом

WSD75100DN56 — силовой MOSFET с N-каналом в корпусе DFN-8 (5×6 mm), предназначенный для импульсных источников питания, приводов двигателей, инверторов и систем управления питанием с высоким током.

Основные электрические параметры
Тип: силовой MOSFET с N-каналом
Напряжение сток-исток Vdss: 75 V
Непрерывный ток стока Id: 100 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 6.4 mΩ @ Vgs = 10 V
Рассеиваемая мощность Pd: 155 W; фактические тепловые характеристики зависят от окружающей среды и теплоотвода печатной платы
Пороговое напряжение Vgs(th): 4 V @ ID = 250 μA
Полный заряд затвора Qg: 85 nC @ Vgs = 10 V
Входная ёмкость Ciss: 3.5 nF @ 20 V
Выходная ёмкость Coss: 4.55 nF
Ёмкость обратной передачи Crss (Cgd): 250 pF
Диапазон рабочей температуры: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: DFN-8 (5×6 mm)
Количество в упаковке: 1 шт.

Особенности
Низкое сопротивление открытого канала 6.4 mΩ при управлении 10 V снижает потери проводимости при непрерывной работе с высоким током. Номинальный непрерывный ток составляет 100 A. Корпус DFN-8 (5×6) имеет тепловую площадку для отвода тепла через медные слои и тепловые переходные отверстия печатной платы.

Области применения
Импульсные источники питания (SMPS): синхронное выпрямление, выходной каскад MOSFET, главный ключ.
Приводы двигателей: плечи инвертора и драйверы высокого тока.
Автомобильная электроника: преобразователи DC-DC и модули управления питанием.
Источники питания серверного и коммуникационного оборудования: силовые каскады и распределённые модули питания.
Высокоэффективное выпрямление и преобразование мощности.

Рекомендации по управлению и переключению
Для достижения указанного низкого RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором 10 V. При пороговом напряжении 4 V (250 μA) логическое управление низким напряжением, например 5 V, может значительно увеличить сопротивление открытого канала.
Заряд затвора Qg = 85 nC (10 V) требует достаточного пикового тока драйвера при высокой частоте переключения. Для управления dv/dt можно выбрать резистор затвора в диапазоне 5–20 Ω и при необходимости добавить RC-цепь для ограничения EMI и выбросов.

Корпус и теплоотвод
Используйте нижнюю тепловую площадку и тепловые переходные отверстия для передачи тепла на внутренние и нижние слои меди. Номинал Pd 155 W относится к заданным условиям, обычно с эффективным теплоотводом; для расчёта температуры учитывайте θJC, θJA и разводку печатной платы. С ростом температуры RDS(on) увеличивается, поэтому при необходимости увеличьте площадь теплоотвода или уменьшите рабочий ток.

Разводка печатной платы и надёжность
Делайте токовые контуры короткими и широкими; используйте большие площади меди и многослойные тепловые переходные отверстия для снижения электрического и теплового сопротивления. Держите дорожку затвора короткой и установите подходящий резистор между драйвером и MOSFET. При высоком dv/dt можно добавить цепь подавления помех; землю драйвера и силовую землю следует свести в подходящей точке.

Перед проектированием следует сверить максимальное напряжение затвора, импульсные параметры, тепловое сопротивление (θJC/θJA), SOA, характеристики встроенного диода и данные испытаний на надёжность по полной документации. Для высокоскоростного переключения оцените потери переключения и управления, а также EMI.