WINSOK WST3078

WST3078 — двухканальный MOSFET с интегрированными N- и P-каналами в корпусе SOT-23-6. Предназначен для портативных и встраиваемых источников питания, где важны компактность, стоимость и характеристики коммутации. Номинальное напряжение сток–исток — 30V, рассеиваемая мощность — 1.4W, диапазон рабочих температур — -55℃…+150℃. Низкий заряд затвора и умеренные ёмкости подходят для эффективной коммутации в схемах средней и малой мощности с высокой плотностью монтажа.

Основные электрические параметры

Количество и тип: 1 MOSFET с N-каналом и 1 MOSFET с P-каналом в одном корпусе SOT-23-6.
Напряжение сток–исток (Vdss): 30V.
Непрерывный ток стока (Id): около 3.5A; в документации также указано 2.7A для отдельных применений. Допустимое значение зависит от тепловых условий и отвода тепла корпусом.
Рассеиваемая мощность (Pd): 1.4W; существенно зависит от теплоотвода на печатной плате.
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 100mΩ при Vgs=10V (номинальное значение); также указано типичное значение 32mΩ при Vgs=10V.
Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): около 2.5V.
Полный заряд затвора (Qg): около 3.3nC при Vgs=10V.
Входная ёмкость (Ciss): 229pF.
Выходная ёмкость (Coss): 42pF.
Ёмкость обратной передачи (Crss/Crss): 33pF.
Рабочая температура: -55℃…+150℃.
Корпус: SOT-23-6.

Для ряда параметров приведены типичные и максимальные значения. При проектировании учитывайте теплоотвод печатной платы и сверяйтесь с технической документацией изготовителя.

Особенности и применение

В одном корпусе объединены MOSFET с N- и P-каналами. Такая конфигурация подходит для верхнего и нижнего ключей, двухтактного управления и коммутации нагрузки, экономя место на печатной плате.

Небольшой корпус SOT-23-6 подходит для портативных устройств и модульных источников питания с ограниченным пространством.

Заряд затвора Qg 3.3nC и входная ёмкость Ciss 229pF подходят для коммутации на средних частотах — от сотен kHz до низкого диапазона MHz.

Рабочая температура -55℃…+150℃ и напряжение 30V подходят для систем с литиевыми батареями 1S/2S, низковольтных автомобильных устройств и промышленного управления.

Типичные применения: маломощные синхронные понижающие преобразователи, ключи питания и коммутация нагрузки, защита батарей и управление трактом питания, преобразователи уровней и двухтактные драйверы, предварительные ключи маломощных двигателей и реле.

Рекомендации по управлению и коммутации

Для минимального сопротивления открытого канала рекомендуется Vgs = 10V. При управлении напряжением 4.5~5V устройство может работать, однако RDS(on) заметно возрастает.

Qg = 3.3nC позволяет использовать компактную микросхему драйвера MOSFET.

В схемах высокочастотной коммутации для подавления звона и электромагнитных помех можно применять резистор затвора или RC-цепь.

Тепловой режим и монтаж на печатной плате

Теплоотвод корпуса SOT-23-6 ограничен. Значение Pd 1.4W является типичным; допустимые длительные ток и мощность зависят от площади меди и теплового пути. Увеличьте площадь медных участков под MOSFET и рядом с ним; для отвода тепла используйте внутренние слои многослойной платы.

Сокращайте длину дорожек в цепях большого тока и увеличивайте ширину дорожек и площадь контактных площадок, чтобы уменьшить сопротивление соединений и локальный нагрев.

Размещайте развязывающие конденсаторы рядом с устройством со стороны входа и выхода, чтобы уменьшить паразитную индуктивность и напряжение при коммутации.

Выбор и ограничения

При длительном токе нагрузки выше 2–3A или ограниченном теплоотводе оцените применение MOSFET в корпусе большего размера, например SO-8 или DFN, либо устройства с меньшим RDS(on).

Для управления от 5V или 3.3V учитывайте RDS(on) при низком Vgs; выбирайте устройства с указанными характеристиками для логического управления, включая низкое RDS(on) при Vgs = 4.5V / 2.5V.