XNRUSEMI XR80N02F

XR80N02F — N-канальный MOSFET

XR80N02F — N-канальный MOSFET с индуцированным каналом, оптимизированный для низковольтных приложений с высоким током. Основные характеристики: низкое сопротивление открытого канала, высокая токовая нагрузка и компактный корпус.

**Основные параметры и области применения**

XR80N02F предназначен для приложений с напряжением ниже 20V и током до 80A. Типичные области применения:
- Низковольтные DC-DC-преобразователи: эффективные понижающие модули для ноутбуков и серверных узлов, например 12V в 5V/3.3V, а также высокочастотные схемы преобразования адаптеров быстрой зарядки.
- Аккумуляторные системы с высоким током разряда: силовые цепи электроинструментов, БПЛА и портативных накопителей энергии, поддерживающие разряд с кратностью свыше 10C.
- Приводы малых электродвигателей: плечи мостовых схем сервоприводов и бесщёточных двигателей, например в роботах-пылесосах и малых промышленных роботах.
- Ключи и защита нагрузки: защита от перегрузки по току и перенапряжения в портативных аккумуляторах и бытовой технике, а также коммутация нагрузок с высоким током.

**Основные электрические параметры**

- Напряжение сток–исток (Vdss): 20V. Подходит для распространённых низковольтных источников питания 12V, 9V и 5V.
- Непрерывный ток стока (Id): 80A. Поддерживает длительную работу с током 30A–60A; допустимый пиковый ток выше.
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 3.5mΩ при 4.5V/30A. При нагрузке 30A мощность потерь составляет 3.15W по расчёту I²R, что снижает нагрев и потери энергии.
- Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 700mV. Для включения достаточно 0.7V; возможно прямое управление от MCU с уровнями 3.3V/5V без дополнительного преобразования уровня.
- Характеристики переключения: Qg = 32nC при 10V, Ciss = 2.5nF. Низкий заряд затвора снижает потери при переключении; подходит для высокочастотных приложений свыше 100kHz, например для PWM-преобразования в источниках быстрой зарядки.
- Рассеиваемая мощность (Pd): 58W. Максимально допустимая мощность; устойчивость при длительной работе с высоким током зависит от тепловых характеристик корпуса.

**Корпус и тепловые характеристики**

Корпус PDFN-8L (5×6mm) сочетает компактные размеры и эффективный отвод тепла. Корпус размером 5mm×6mm подходит для компоновки печатных плат портативной аппаратуры и высокоплотных модулей питания. Нижняя тепловая площадка может соединяться с медью печатной платы; типовое тепловое сопротивление составляет ~1.5℃/W. Восемь выводов обеспечивают совместимость с аналогичными компонентами в корпусе PDFN-8L.

**Надёжность и условия эксплуатации**

- Диапазон рабочих температур: -55℃~+150℃.
- Бессвинцовый корпус без галогенов; соответствие экологическим стандартам RoHS и REACH.
- Встроенная защита затвора от ESD: типовое значение ±2kV HBM.
- Заявлены испытания температурными циклами (-55℃~150℃, 1000 циклов) и выдержкой при влажности (85℃/85%RH, 1000h).

Низкие RDS(on) и потери при переключении повышают эффективность системы на 2%–5%; для DC-DC-преобразователей указана эффективность свыше 95%. Компактный корпус и низкое пороговое напряжение упрощают компоновку платы и схему управления.