XNRUSEMI XR3N10L

Обзор XR3N10L

XR3N10L — траншейный MOSFET с N-каналом в компактном корпусе SOT23-3L, предназначенный для систем управления питанием с ограниченным пространством, где важен баланс эффективности переключения и потерь проводимости. Подходит для синхронных понижающих преобразователей и универсальных силовых ключей.

Основные электрические параметры

Тип: траншейный MOSFET с N-каналом
Напряжение сток—исток Vdss: 100 V
Непрерывный ток стока Id: 2.5 A
Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 200 mΩ @ Vgs = 10 V
Рассеиваемая мощность Pd: 1 W (корпус SOT23-3L; требуется учитывать теплоотвод печатной платы)
Пороговое напряжение Vgs(th): 1.5 V
Общий заряд затвора Qg: 5.3 nC @ 50 V
Входная емкость Ciss: 440 pF
Емкость обратной передачи Crss: 10 pF
Диапазон рабочей температуры перехода: -55 ℃ ~ +150 ℃
Соответствует RoHS; заявлена гарантия EAS 100% и прохождение квалификации по надежности.

Особенности

Сбалансированные сопротивление в открытом состоянии и заряд затвора снижают потери проводимости и переключения. Компактный корпус SOT23-3L подходит для модулей и портативных плат питания с ограниченным пространством и автоматического монтажа. Напряжение Vdss 100 V позволяет использовать устройство в DC-DC-преобразователях с широким диапазоном входного напряжения и схемах защиты аккумуляторов. Широкий диапазон рабочих температур предназначен для продолжительной работы в промышленных и потребительских изделиях.

Типовые области применения: синхронные понижающие преобразователи, ключи управления питанием и нагрузкой, схемы защиты аккумуляторов, вспомогательные ключи DC-DC/SMPS, защита от переполюсовки и подавление импульсных перенапряжений, маломощные приводы двигателей и ключи питания портативных устройств.

Тепловой режим и разводка

Для корпуса SOT23-3L указана Pd 1 W. Фактическое рассеяние зависит от площади медных участков печатной платы, теплопередачи между слоями и температуры окружающей среды. Для отвода тепла рекомендуется увеличить площадь меди под корпусом и вокруг него; при необходимости использовать тепловые переходные отверстия к внутренним или нижним слоям.

В высокочастотных схемах следует сократить контуры возвратного тока между затвором, стоком и истоком, чтобы уменьшить паразитную индуктивность. Последовательный резистор затвора помогает подавлять звон и регулировать скорость переключения. Максимальная температура перехода составляет 150 ℃; при проектировании следует предусмотреть запас.

При выборе драйвера учитывайте, что Vgs(th)=1.5 V обозначает порог начала открытия и не гарантирует полного открытия при управлении от 3.3 V. Для достижения указанного RDS(on)=200 mΩ требуется напряжение управления 10 V. Заряд Qg=5.3 nC (@50 V) следует учитывать при оценке мощности и возможностей драйвера. Рекомендуется моделировать потери и тепловой режим печатной платы на этапе проектирования.

Корпус: SOT23-3L.