XTX BRT30P35P1

BRT30P35P1 — одноканальный силовой MOSFET с P-каналом, предназначенный для высокобоковых ключей класса 30V и управления трактом питания.

Основные характеристики:
Максимальное напряжение сток–исток VDS: -30V
Максимальный непрерывный ток стока ID: -35A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 7.6 mΩ при VGS = -10V; 10.9 mΩ при VGS = -4.5V
Пороговое напряжение затвора VGS(th): -1.7V
Максимальное напряжение затвора VGS: ±20V
Полный заряд затвора Qg: 41 nC (Qgs = 7 nC, Qgd = 10 nC)
Входная, выходная и обратная ёмкости: Ciss = 2252 pF, Coss = 306 pF, Crss = 222 pF
Рассеиваемая мощность Pd: 40W
Рабочая температура: -55℃ ~ +150℃
Корпус: PDFN 3×3-8L

Низкое RDS(on) уменьшает потери проводимости при больших токах. При VGS = -4.5V сопротивление RDS(on) составляет 10.9 mΩ; для P-канального транзистора требуется отрицательное напряжение затвор–исток. Заряд затвора Qg = 41 nC требует учёта возможностей драйвера и потерь при переключении. Компактный корпус PDFN 3×3-8L подходит для плат с ограниченным пространством; тепловой режим зависит от конструкции платы.

Типовые применения: высокобоковое переключение питания в системах 12V/24V, управление трактом питания и защита от обратного тока, распределение и защита питания, низковольтное переключение больших токов.

P-канальный транзистор открывается при отрицательном VGS. Например, при подключении истока к +12V для полного открытия следует установить на затворе около +2V (VGS ≈ -10V); соблюдайте предел ±20V. Рекомендуется последовательно включить резистор затвора 10–100 Ω; типовое значение 10–47 Ω помогает сбалансировать скорость переключения и звон. Для частого или высокочастотного переключения используйте драйвер с достаточным импульсным током. При 100 kHz средний ток управления затвором для Qg=41 nC составляет около 4.1 mA; для быстрых переходов нужен больший пиковый ток. Контролируйте VGS при изменении напряжения истока; при необходимости используйте ограничитель или цепь фиксации напряжения затвора.

Хотя номинальная Pd составляет 40W, фактическое рассеяние зависит от теплоотвода платы и площади контактных площадок. Для улучшения отвода тепла применяйте нижнюю теплоотводящую площадку, медные слои и тепловые переходные отверстия (vias). При непрерывном большом токе рассчитывайте потери проводимости по формуле P = I^2 * RDS(on) и предусматривайте запас.

Проверьте, что максимальное напряжение системы не превышает 30V, и обеспечьте запас. При высокочастотном переключении учитывайте влияние Qgd на задержку и потери, при необходимости применяйте RC-цепь или дополнительный каскад драйвера. При непосредственном подключении к MCU учитывайте, что напряжение затвора отсчитывается относительно истока; обычно требуются преобразователь уровня или специализированный драйвер. Для индуктивной нагрузки предусмотрите защиту от обратного напряжения (TVS, RC-цепь, диод свободного хода).