YJX T322530MLBDD2X

T322530MLBDD2X — кварцевый резонатор для поверхностного монтажа в корпусе SMD3225-4P (3.2 × 2.5 mm), с номинальной частотой 30.000 MHz.

Основные параметры
Модель: T322530MLBDD2X
Бренд: YJX
Корпус: SMD3225-4P
Частота: 30.000 MHz
Начальный допуск при комнатной температуре: ±10 ppm
Стабильность частоты во всем диапазоне температур: ±20 ppm
Емкость нагрузки: 20 pF
Эквивалентное последовательное сопротивление (ESR): 30 Ω
Рабочая температура: -30 ℃ ～ +85 ℃

Характеристики
Частота 30 MHz подходит для большинства задач тактирования на средних и высоких частотах, а корпус 3225 — для компактных устройств. Начальный допуск ±10 ppm и температурная стабильность ±20 ppm подходят для применений с повышенными требованиями к точности. Стандартная емкость нагрузки 20 pF упрощает согласование с MCU и генераторными схемами. Резонатор совместим с пайкой оплавлением и автоматизированной сборкой.

Типичные применения
Источники тактового сигнала для микроконтроллеров и DSP; коммуникационные модули, включая беспроводные приемопередатчики и опорные сигналы для микросхем основной полосы; опорные генераторы испытательного и измерительного оборудования; синхронизация видео высокой четкости и аудио; тактирование цифровых схем.

Рекомендации по применению
Номинальная емкость нагрузки резонатора CL=20 pF. Фактическая нагрузка определяется конденсаторами C1 и C2 и паразитной емкостью схемы: CL ≈ (C1·C2)/(C1+C2) + Cstray. При паразитной емкости PCB и входной цепи около 2–5 pF рекомендуется выбирать C1=C2 примерно 30–36 pF. Окончательный выбор следует проверять измерениями и требованиями генератора целевой микросхемы.

ESR составляет 30 Ω. Для генераторов с высокими требованиями к усилению или уровню возбуждения учитывайте время запуска и устойчивость; при необходимости настройте цепь обратной связи или конфигурацию возбуждения кристалла согласно документации целевой микросхемы.

Для пайки оплавлением соблюдайте рекомендованные производителем профиль температуры и технологию пайки, чтобы избежать перегрева, длительного воздействия высокой температуры и повреждения. Избегайте сильных механических нагрузок, изгиба и ударов. При очистке не применяйте ультразвуковые процессы, способные повредить кристалл. После монтажа по возможности избегайте повторного нагрева и ударных воздействий.