YONGYUTAI BZT52C5V6

BZT52C5V6 (5.6V) — стабилитрон в корпусе SOD-123.

Номинальное напряжение стабилизации: 5.6 V
Диапазон напряжения стабилизации: 5.2 V ~ 6.0 V
Максимальная мощность рассеяния (Pd): 500 mW
Обратный ток утечки (IR): ≤1 μA (условия измерения производителя: Vr=1.0 V или Vr=2.0 V)
Импеданс в области низкого тока (Zzk): 400 Ω
Динамический импеданс (Zzt): 40 Ω

Корпус SOD-123 предназначен для поверхностного монтажа. При проектировании учитывайте ограниченный теплоотвод и снижение допустимой мощности. Теоретическое максимальное значение тока стабилизации: Iz_max ≈ Pd / Vz = 0.5 W / 5.6 V ≈ 89 mA. Рекомендуемый длительный ток: 10–20 mA. Увеличьте площадь меди рядом с диодом и обеспечьте теплоотвод.

Обычно используется в шунтирующих стабилизаторах совместно с последовательным резистором Rs:
Rs = (Vin - Vz) / Iz
Pd_di = Vz × Iz
Pd_R = (Vin - Vz) × Iz

Пример: при Vin = 12 V и Iz = 20 mA значение Rs составляет 320 Ω; мощность диода — около 0.112 W, мощность резистора — около 0.128 W.

Типичные применения: маломощный источник опорного напряжения, входная защита и ограничение напряжения, локальная стабилизация аналоговых и цифровых схем, защита сигнальных линий от импульсных перенапряжений.

Учитывайте производственный допуск напряжения стабилизации, повышенный импеданс при низком токе и влияние тока утечки в высокоомных схемах. Для защиты от мощных импульсных помех и ESD применяйте соответствующие защитные компоненты.