YONGYUTAI MJD122

MJD122 — силовой транзистор

MJD122 — NPN-силовой транзистор Дарлингтона в корпусе TO-252 для усиления сигналов средней мощности и управления нагрузкой. Высокий коэффициент передачи тока позволяет управлять большим током коллектора при небольшом токе базы. Максимальный ток коллектора составляет 3A, рассеиваемая мощность — 1.75W.

Основные электрические параметры:

Напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo — 100V при разомкнутой базе. Напряжение пробоя эмиттер–база Vebo — 5V. Ток утечки коллектора Icbo — 200μA при разомкнутой базе и обратном напряжении между коллектором и эмиттером.

Коэффициент передачи постоянного тока hFE — 1000. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер VCE(sat) — 2V при Ic=3A и Ib=12mA. Напряжение открывания база–эмиттер VBE(on) — 2.5V.

Корпус и выводы:

Корпус TO-252 (DPAK), 3 вывода: 1 — база (B), 2 — коллектор (C), 3 — эмиттер (E). Нижняя площадка служит для отвода тепла. Типовые размеры — 6.5×5.5×1.7mm.

Применение: усилители средней мощности, схемы управления реле и светодиодами, вспомогательные каскады источников питания, выходные модули PLC и бытовая электроника.

При проектировании учитывайте предельные значения Vceo (100V), Ic (3A), Pd (1.75W) и напряжение эмиттер–база до 5V. При Pd=1.75W требуется отвод тепла через медные участки PCB или небольшой радиатор. Температура пайки оплавлением — до 260℃ в течение не более 10s; температура хранения — -55℃~150℃, влажность — до 60%. Для нагрузки 3A ток базы должен составлять не менее 12mA.