YANGJIE 2N7002KCW

2N7002KCW — малогабаритный N-канальный MOSFET с индуцированным каналом в корпусе SOT-323 для маломощных схем, переключения малых сигналов и управления. Подходит для использования в качестве универсального ключа, элемента двухтактной схемы, преобразователя уровней или защитного компонента в портативной и потребительской электронике.

Основные электрические параметры:
Тип: N-канальный MOSFET, 1 элемент
Напряжение сток-исток Vdss: 60 V
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5 V @ 250 μA
Сопротивление открытого канала RDS(on): 2.5 Ω @ Vgs = 10 V
Непрерывный ток стока Id: 300 mA
Рассеиваемая мощность Pd: 300 mW
Входная емкость Ciss: 27 pF @ 30 V
Выходная емкость Coss: 3 pF
Емкость обратной передачи Crss(Crss): 2 pF @ 30 V
Заряд затвора Qg: 2.4 nC @ 10 V
Рабочая температура: -55 °C ～ +150 °C
Корпус: SOT-323

Малая емкость и заряд затвора 2.4 nC подходят для быстрого переключения и импульсных сигналов. Напряжение Vdss 60 V подходит для многих низковольтных и средневольтных источников питания и схем изоляции сигналов. Мощность Pd составляет 300 mW.

Типичные применения: маломощное переключение и управление сигналами, расширение I/O, переключение сброса и разрешения, преобразование уровней, управление нагрузками с малым током, импульсные или выборочные ключи, схемы защиты от сверхтока и обратной полярности.