YANGJIE YJQ55P02A

YJQ55P02A — P-канальный силовой MOSFET производства YANGJIE с низким сопротивлением открытого канала и малыми потерями проводимости. Предназначен для низковольтных систем управления питанием и верхних ключей. Корпус DFN 3.3×3.3mm подходит для компактных PCB высокой плотности.

Основные параметры:
Тип: P-канальный MOSFET (однокристальный, 1 P-канал)
Напряжение сток–исток Vdss: 20V
Непрерывный ток стока Id: 55A при надлежащем теплоотводе
Сопротивление открытого канала Rds(on): 6.5 mΩ (тип.), при VGS = -4.5V и ID = 15A
Пороговое напряжение Vgs(th): ≈0.4V (тип., измерено при стандартном тестовом токе)
Полный заряд затвора Qg: 12.7 nC (@10V)
Выходная ёмкость Coss: 690 pF; входная ёмкость Ciss: 6.358 nF (@10V); ёмкость обратной передачи Crss: 477 pF (@10V)
Рассеиваемая мощность Pd: 3.2W (номинальная, зависит от теплоотвода PCB)
Диапазон рабочих температур: -55°C ~ +150°C
Корпус: DFN (3.3×3.3 mm)

Низкое сопротивление открытого канала 6.5 mΩ уменьшает потери проводимости при умеренном токе. Небольшой Qg и среднее значение Ciss способствуют быстрому переключению и снижению потерь. Низкое Vgs(th) поддерживает надёжное включение при управлении низким уровнем.

Номинальная рассеиваемая мощность Pd составляет 3.2W; допустимый длительный ток в значительной степени зависит от площади меди и теплоотвода PCB. Корпус DFN 3.3×3.3 позволяет отводить тепло через нижнюю контактную площадку. Для улучшения тепловых характеристик используйте увеличенную площадь меди, переходные отверстия или тепловую площадку. При высоком токе контролируйте температуру перехода и предусматривайте снижение нагрузки.

Типичные применения: верхние ключи и отключение нагрузки в низковольтных системах с высоким током; управление батареями и защита зарядки и разрядки с блокировкой обратного тока; управление трактом питания и распределением питания USB/Type-C; синхронные ключи и защитные элементы DC-DC-преобразователей; драйверы LED и электродвигателей с быстрым переключением и низкими потерями.

Рекомендации по применению:
Для включения P-канального MOSFET требуется отрицательное VGS. Проверьте полярность и амплитуду напряжения управления.
Учитывайте предельные значения VGS и Vdss и не допускайте их превышения при переходных процессах. При высоком dV/dt используйте резистор затвора для подавления звона.
Оптимизируйте теплоотвод: увеличьте площадь меди на нижнем слое, используйте переходные отверстия или тепловую площадку, чтобы удерживать температуру перехода в допустимых пределах при высоком токе.
В схемах, чувствительных к ESD и импульсным перенапряжениям, рекомендуется добавить TVS или ограничение тока.

Низкое Rds(on), высокая токовая нагрузочная способность и компактный корпус DFN подходят для низковольтного управления питанием с высокой эффективностью и плотностью монтажа. Подберите управление затвором и теплоотвод с учётом рабочего тока и условий охлаждения PCB.