YANGJIE YJL3134KAE

YJL3134KAE (YANGJIE)

YJL3134KAE — маломощный одноканальный N-канальный MOSFET в сверхкомпактном корпусе SOT-523. Номинальное напряжение сток–исток Vdss составляет 20V. Компонент подходит для низковольтных переключателей питания, управления нагрузкой в портативных устройствах и преобразования уровней, где важны компактность и низкие потери переключения.

Основные характеристики

Тип: N-канальный MOSFET, один канал
Напряжение сток–исток Vdss: 20V
Сопротивление открытого канала RDS(on): 700 mΩ @ Vgs = 1.8V
Непрерывный ток стока Id: 500 mA
Рассеиваемая мощность Pd: 180 mW (зависит от ограничений корпуса)
Пороговое напряжение затвора Vgs(th): 1.1V @ Id = 250 μA
Входная емкость Ciss: 56 pF; выходная емкость Coss: 20 pF; емкость обратной передачи Crss: 2.5 pF
Заряд затвора Qg: 1 nC @ 4.5V
Корпус: SOT-523

Особенности и рекомендации по проектированию

RDS(on) составляет 700 mΩ при Vgs = 1.8V, поэтому компонент подходит для управления низковольтным затвором от одноэлементной литиевой батареи или логики низкого напряжения. Для больших токов требуется учитывать сравнительно высокое сопротивление открытого канала.
Значение Qg около 1 nC при 4.5V и небольшие значения Ciss, Coss и Crss обеспечивают быстрое переключение и низкую потребность в энергии управления. Компонент подходит для частого переключения и устройств с питанием от батареи.
Рассеиваемая мощность Pd составляет 180 mW; тепловые ограничения корпуса SOT-523 требуют учитывать отвод тепла и ограничение тока. Для более высоких нагрузок рассмотрите параллельное включение или корпус большего размера.

Типичные области применения

Управление питанием и переключение нагрузки в мобильных устройствах и носимой электронике.
Преобразование уровней низковольтных сигналов и защита интерфейсов.
Нижний ключ для малотоковых реле и драйверов.
Переключение или защита от переполюсовки в системах с питанием от USB или батареи при использовании соответствующей внешней схемы.

Рекомендации по монтажу и эксплуатации

Корпус SOT-523 не имеет крупного теплового вывода. Размещайте компонент рядом с нагрузкой и увеличивайте площадь медных участков платы для улучшения теплоотвода; при наличии места используйте медные области под контактными площадками и вокруг них, а также заливку меди на нескольких слоях.
Для подавления звона рекомендуется включить последовательно с затвором резистор 10–100 Ω; при необходимости используйте TVS или стабилитрон для защиты от перенапряжения.
Для снижения потерь переключения и электромагнитных помех регулируйте время нарастания и спада сигнала. Небольшой Qg снижает нагрузку на внешний драйвер; учитывайте энергию управляющих импульсов.
Миниатюрный корпус чувствителен к пайке и обращению. Соблюдайте меры защиты от ESD и рекомендованные условия монтажа и пайки оплавлением.

Выбор и замена

При токе, близком к нескольким сотням миллиампер или превышающем его, а также при необходимости меньшего сопротивления открытого канала рассмотрите компонент в корпусе большего размера или MOSFET с меньшим RDS(on). Если напряжение управления затвором достигает 4.5–10V, можно выбрать MOSFET с меньшим RDS(on) при высоком Vgs. При ограничениях по площади платы и возможностям управления YJL3134KAE подходит для маломощных низковольтных применений.

Для сведений о температурных характеристиках, размерах корпуса и полных электрических параметрах используйте техническую документацию производителя.