YANGJIE YJS05N06A

YJS05N06A — двухканальный N-канальный MOSFET производства YANGJIE в корпусе SOP-8, предназначенный для переключения и управления питанием средней мощности. Диапазон рабочей температуры составляет -55℃ ~ +150℃. В корпусе находятся 2 N-канальных MOSFET, что позволяет реализовать двухканальное переключение или параллельное подключение при ограниченной площади PCB.

Основные электрические параметры:
• Напряжение сток–исток Vdss: 60V
• Непрерывный ток стока Id: 5A (зависит от условий теплоотвода)
• Сопротивление открытого канала RDS(on): 49mΩ при Vgs=4.5V, Id=4A
• Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5V
• Полная рассеиваемая мощность Pd: 3.1W (ограничение по тепловым характеристикам корпуса SOP-8)
• Входная емкость Ciss: 1.018nF; выходная емкость Coss: 70pF; емкость обратной передачи Crss: 62pF
• Заряд затвора Qg: 26nC при Vgs=10V
• Рабочая температура: -55℃ ~ +150℃

Низкое сопротивление RDS(on) — 49mΩ при управлении 4.5V — подходит для низковольтных драйверов и снижает потери проводимости и переключения. Два MOSFET в корпусе SOP-8 позволяют создавать мостовые, полумостовые и независимые двухканальные схемы. Заряд затвора Qg≈26nC обеспечивает умеренную скорость переключения и требует учета мощности драйвера при высокой частоте.

Типовые применения: ключевой элемент или синхронный выпрямитель в повышающих и понижающих преобразователях DC-DC; полумостовые драйверы двигателей, переключатели нагрузки и управление питанием; устройства и промышленные системы управления средней и низкой мощности; схемы с двумя выходами или резервированием.

Рекомендуемое напряжение управления затвором Vgs составляет 8~10V для получения минимального RDS(on). При 4.5V сохраняется низкое сопротивление открытого канала; около порогового напряжения 2.5V потери проводимости могут увеличиваться. При высокой частоте следует учитывать заряд затвора Qg=26nC и выбирать подходящий драйвер.

Рассеиваемая мощность Pd=3.1W является пределом корпуса; допустимый непрерывный ток зависит от площади медных участков PCB и конструкции теплоотвода. Для отвода тепла предусматривают широкие медные полигоны и теплоотводящие площадки, при необходимости соединяя их переходными отверстиями с внутренними или нижними слоями. Входной конденсатор размещают близко к компоненту, силовые дорожки делают короткими и широкими, минимизируя контур стока и истока для снижения EMI и звона. Для измерения большого тока используют вывод истока Kelvin или отдельную схему измерения тока.

Для индуктивной нагрузки применяют параллельную RC-цепь или TVS. Последовательно с затвором можно установить резистор 5~20Ω для подавления колебаний и управления dV/dt.

Корпус: SOP-8, подходит для поверхностного монтажа и автоматизированной сборки. При напряжении системы, близком к 60V, а также при высокой температуре или частоте следует проверить возможности теплоотвода PCB и при необходимости использовать параллельное соединение или корпус большей мощности.