YANGJIE YJD18GP10A

YJD18GP10A — P-канальный силовой MOSFET

YJD18GP10A — одиночный P-канальный силовой MOSFET с напряжением сток-исток 100 V, непрерывным током стока 18 A и максимальной рассеиваемой мощностью 72 W. Корпус TO-252 (DPAK). Диапазон рабочих температур: -55℃…+150℃. Предназначен для высокосторонней коммутации, защиты и управления питанием в промышленных и потребительских схемах.

Основные параметры:
Тип: P-канальный полевой транзистор (P-MOSFET).
Vdss: 100 V.
Непрерывный ток стока Id: 18 A при надлежащем теплоотводе.
Сопротивление открытого канала RDS(on): 90 mΩ при |Vgs| = 10 V.
Пороговое напряжение затвора Vgs(th): 1.8 V, справочное значение.
Полный заряд затвора Qg: 20.1 nC при 10 V.
Выходная ёмкость Coss: 119 pF; входная ёмкость Ciss: 1.051 nF; ёмкость обратной передачи Crss: 25 pF при 50 V.
Корпус: TO-252 (DPAK).

Потери проводимости оцениваются по формуле Pcon ≈ I² × RDS(on). При токе 18 A они составляют примерно 29.16 W, при 10 A — около 9 W, при 5 A — около 2.25 W. Для работы при больших токах необходим соответствующий теплоотвод, включая медные полигоны, тепловые переходные отверстия или внешний радиатор.

При Qg = 20.1 nC и напряжении управления 10 V энергия переключения затвора оценивается как E ≈ 0.5 × Qg × V ≈ 100.5 nJ. Потери управления затвором можно оценить по формуле Pgate ≈ Qg × Vdrive × f. Например, при частоте 100 kHz и Vdrive = 10 V они составляют около 20.1 mW. Небольшая Crss (25 pF) помогает снизить влияние эффекта Миллера на скорость переключения.

P-MOSFET обычно используют как ключ верхнего плеча положительной шины; для открытия на затвор подают напряжение ниже напряжения истока, то есть Vgs имеет отрицательное значение. При проектировании драйвера соблюдайте допустимый диапазон напряжения затвора; для ограничения выбросов применяйте резистор затвора, демпфирующую цепь или защиту затвора.

Типичные области применения: высокосторонние ключи питания, защита линий и от переполюсовки, коммутация и распределение питания, низко- и средне-мощные преобразователи DC-DC и изоляция нагрузки.

Корпус TO-252 (DPAK) предназначен для поверхностного монтажа. Для отвода тепла предусмотрите достаточную площадь меди у выводов и тепловой площадки, а также переходные отверстия к теплоотводящим слоям. При высоких частотах переключения и больших импульсных нагрузках сокращайте индуктивные контуры.

Перед применением сверяйтесь с технической документацией по максимальному Vgs, импульсному току и импульсным номиналам. Проверьте, что драйвер обеспечивает достаточное |Vgs|, и оцените температуру перехода при максимальной нагрузке.