YANGJIE YJG60G10A

YJG60G10A — описание изделия

YJG60G10A — силовой MOSFET с N-каналом и напряжением класса 100V, предназначенный для импульсных источников питания, синхронного выпрямления, управления электродвигателями и преобразования мощности при среднем и высоком напряжении. Параметры сопротивления открытого канала, переключения и тепловых характеристик корпуса сбалансированы для снижения потерь проводимости и переключения.

Основные характеристики
Тип: MOSFET с N-каналом
Напряжение сток–исток Vdss: 100 V
Непрерывный ток стока Id: 60 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 8.6 mΩ при Vgs = 10 V, Id = 20 A
Рассеиваемая мощность Pd: 28.8 W (номинальное значение)
Пороговое напряжение Vgs(th): 4.0 V
Полный заряд затвора Qg: 32 nC при Vgs = 10 V
Входная ёмкость Ciss: 2.431 nF при 50 V
Выходная ёмкость Coss: 715 pF при 50 V
Ёмкость обратной передачи Crss: 32 pF при 50 V
Рабочий температурный диапазон: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: PDFN5060-8L (силовой DFN, 5.0 × 6.0 mm, 8 выводов)

Особенности и параметры работы
Низкое сопротивление открытого канала: при Vgs = 10 V значение RDS(on) составляет 8.6 mΩ, что снижает потери проводимости при большом токе. Подходит для нижнего ключа или MOSFET синхронного выпрямителя.
Допустимый непрерывный ток стока составляет 60 A; для работы с высокой импульсной и непрерывной нагрузкой требуется соответствующий теплоотвод.
Заряд затвора Qg = 32 nC вместе с Ciss и Crss определяет требования к драйверу. Достаточная мощность управления затвором обеспечивает быстрое переключение и контролируемые потери.
Значения Coss и Crss служат ориентиром для оценки потерь переключения и необходимости демпфирования. Низкое Crss (Miller) помогает уменьшить влияние эффекта Миллера; при высоком dV/dt требуется контролировать управление затвором.
Рабочий температурный диапазон от -55 ℃ до +150 ℃ подходит для большинства промышленных и потребительских условий эксплуатации.

Типичные области применения
Импульсные источники питания (SMPS): основной ключ, синхронный выпрямитель или ключ вторичной стороны;
электроприводы: мостовые схемы, ключи верхнего и нижнего плеча с соответствующим драйвером;
преобразователи DC-DC с топологиями понижения или повышения среднего и высокого напряжения;
системы питания для автомобильной и промышленной электроники на 100 V с дополнительной проверкой автомобильных требований;
ключи нагрузки и модули управления питанием.

Рекомендации по монтажу и управлению
При Vgs = 10 V достигается номинальное значение RDS(on); рекомендуемое напряжение управления затвором — 10 V. Не превышайте максимальное допустимое напряжение Vgs.
Порог Vgs(th) = 4 V указывает на начало проводимости около 4 V. Прямое управление от 3.3 V обычно не гарантирует низкое RDS(on).
При Qg = 32 nC рекомендуется драйвер затвора с достаточным пиковым током. Последовательный резистор между драйвером и MOSFET, обычно 5–20 Ω, позволяет контролировать фронты и подавлять звон.
Корпус PDFN5060-8L отводит тепло через плоскую площадку. Разместите под соответствующей контактной площадкой медь нескольких слоёв и при необходимости соедините её переходными отверстиями с теплоотводящим слоем или нижней площадкой. Сократите ширину токовой петли, увеличьте площадь контактных площадок и число переходных отверстий для снижения теплового и электрического сопротивления.
При переключении с высоким dV/dt рекомендуется применять RC-цепь или цепь ограничения выбросов с резистором, конденсатором или TVS-диодом для предотвращения перенапряжения и снижения электромагнитных помех (EMI).

Указания по применению
Рассеиваемую мощность Pd = 28.8 W следует оценивать с учётом теплоотвода платы, температуры окружающей среды и теплового сопротивления. Проведите тепловое моделирование и измерения, чтобы исключить длительную работу при высокой температуре перехода.
При испытаниях и серийном производстве контролируйте потери переключения и тепловую стабильность. Для высокой частоты или большого коэффициента заполнения может потребоваться дополнительный теплоотвод.
Компонент чувствителен к электростатическому разряду; хранение и пайку выполняйте в зоне защиты от ESD.
Для применений с повышенными требованиями к надёжности или автомобильного класса изучите полную техническую документацию и отчёты о надёжности производителя и выполните необходимую дополнительную проверку.

YJG60G10A — MOSFET с N-каналом для приложений со средним и высоким напряжением и большой токовой нагрузкой. Для достижения требуемых характеристик обеспечьте подходящее управление затвором, разводку платы и теплоотвод; при проектировании учитывайте данные о тепловом сопротивлении и полную спецификацию.