YANGJIE YJS2022A

YJS2022A — P-канальный MOSFET в корпусе SOP-8 для поверхностного монтажа.

Основные параметры:
Напряжение сток–исток Vdss: 20V
Непрерывный ток стока Id: 13A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 10 mΩ при VGS = 4.5V, ID = 10A (для P-канального транзистора напряжение затвор–исток имеет отрицательную полярность; указанное значение соответствует типичному сопротивлению при полном открытии)
Пороговое напряжение VGS(th): 620 mV (типовое)
Полный заряд затвора Qg: 72.8 nC при 10V
Входная ёмкость Ciss: 2.992 nF при 10V
Выходная ёмкость Coss: 330 pF при 10V
Ёмкость обратной передачи Crss: 272 pF при 10V
Рассеиваемая мощность Pd: 3 W (существенно зависит от корпуса и теплоотвода платы)
Рабочая температура: -55 ℃ ~ +150 ℃

Низкое сопротивление открытого канала подходит для высокобоковых переключателей и управления трактом питания. Непрерывный ток 13A рассчитан на нагрузки средней мощности. Значения заряда затвора и входной ёмкости следует учитывать при выборе частоты переключения и драйвера. Широкий диапазон рабочих температур подходит для промышленных условий.

Типовые области применения: высокобоковое переключение и выбор питания в устройствах с батарейным питанием, управление питанием и зарядом, блокировка обратного тока, силовой ключ в низковольтных преобразователях DC/DC, защита и коммутация в приводах двигателей и модулях распределения питания.

Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется управлять затвором напряжением около -4.5V относительно истока. При Qg = 72.8 nC и напряжении управления 10V энергия одного переключения составляет примерно Qg×V ≈ 728 nJ; учитывайте возможности драйвера и потери при выбранной частоте переключения. Для быстрого переключения можно включить последовательно с затвором резистор 10–100 Ω для подавления звона и ограничения тока. Crss = 272 pF вызывает эффект Миллера и влияет на скорость выключения и выбросы напряжения.

Рассеиваемая мощность составляет 3W, фактическое значение зависит от площади меди платы, межслойных переходных отверстий и условий охлаждения. Для отвода тепла используйте широкие медные участки и переходные отверстия, соединяющие слои; силовые дорожки следует выполнять с достаточной шириной. При большом токе или высокой скважности проверьте нагрев, чтобы не превышать предельную температуру перехода.

Перед применением сверьте максимальное VGS, допустимый импульсный ток, SOA и параметры надёжности по полной документации. При работе учитывайте запас по Vdss, Id и Pd. В схемах с высокой частотой или высоким dV/dt рассмотрите RC-цепь, снаббер или TVS для подавления перенапряжений и электромагнитных помех.