YANGJIE DTC113ZCA

DTC113ZCA — предварительно смещённый NPN-транзистор для маломощной коммутации с непосредственным управлением логическим уровнем. Корпус SOT-23. Встроены токоограничивающий резистор базы и резистор подтяжки базы к эмиттеру.

Основные параметры:
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo: 50 V
Максимальный ток коллектора Ic: 100 mA
Рассеиваемая мощность Pd: 200 mW (SOT-23; учитывайте тепловые ограничения)
Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 33 (при 10 mA, VCE=5V)
Максимальное входное напряжение выключения VI(off): 300 mV
Выходное напряжение насыщения VO(on): около 300 mV (при Ic=10 mA; также приведено значение для 0.5 mA)
Встроенный входной резистор базы: около 1.3 kΩ; отношение сопротивления резистора подтяжки базы к токоограничивающему резистору: около 12
Рабочая температура: -55 ℃ ～ +150 ℃

Внутренняя структура и работа
DTC113ZCA — цифровой транзистор со встроенным токоограничивающим резистором (Rb ≈ 1.3 kΩ) и резистором подтяжки, подключённым к эмиттеру (отношение сопротивлений около 1:12). Транзистор можно напрямую подключать к выходу MCU или TTL/CMOS без внешнего резистора базы. VI(off)=300 mV указывает уровень входного напряжения, ниже которого гарантируется выключенное состояние.

Типичные применения: малосигнальная коммутация от MCU или логического уровня (LED, индикаторы); управление реле с малым током и компактными электромагнитными клапанами с учётом допустимого тока и мощности; преобразование уровней, импульсное управление, формирование сигналов и замена выхода с открытым коллектором; буферный каскад для управления подтяжкой вверх или вниз.

Рекомендации по эксплуатации и тепловому режиму
Максимальный номинальный Ic составляет 100 mA. При Pd=200 mW в корпусе SOT-23 длительная работа с высоким током и высоким VCE не рекомендуется. Мощность P = VCE × Ic должна оставаться в пределах максимального значения с учётом температуры окружающей среды и снижения допустимой мощности из-за теплового сопротивления корпуса.

При коммутации 10 mA в режиме насыщения (VCE≈0.3 V) рассеиваемая мощность мала. При высоком VCE, например при использовании выхода с открытым стоком для большой нагрузки, рассчитайте мощность и не приближайтесь к пределу 200 mW.

При hFE≈33 (10 mA) для тока коллектора 10 mA требуется базовый ток около 0.3 mA. Встроенный Rb≈1.3 kΩ обеспечивает достаточный ток базы при входном напряжении 5 V. При приближении тока коллектора к 100 mA учитывайте ограничения по базовому току и нагреву.

Подключение и типовая схема
В типовой схеме нижнего ключа один вывод нагрузки подключён к VCC, другой — к коллектору; эмиттер подключён к земле, вход — к выводу GPIO MCU. При высоком входном уровне транзистор открывается и подключает нагрузку к земле.

В приложениях с высоким напряжением и большим током избегайте длительной работы ключа в линейном режиме. Для снижения рассеиваемой мощности используйте переключение между насыщением и отсечкой.

Корпус и выбор компонента
Компактный корпус SOT-23 подходит для плат с ограниченным пространством, его возможности отвода тепла ограничены. Для длительной работы с большим током или высоким VCE выбирайте компонент с большей допустимой мощностью или с теплоотводом.

При выборе учитывайте рабочее напряжение, максимальный ток коллектора, запас по мощности, совместимость с логическими уровнями (VI(off) и входной порог), а также рабочую температуру -55～+150 ℃.