YANGJIE DTC114YE

DTC114YE — обзор продукта

DTC114YE — предварительно смещенный NPN-транзистор YANGJIE в миниатюрном корпусе SOT-523 для коммутации с низким током и напряжением, а также для логических интерфейсов. Встроенные резисторы смещения упрощают внешнюю схему и позволяют управлять транзистором непосредственно логическим сигналом.

Основные характеристики:

Тип устройства: предварительно смещенный NPN-транзистор (встроенные резисторы смещения базы и база-эмиттер)
Корпус: SOT-523, для поверхностного монтажа
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 50 V
Ток коллектора Ic: 100 mA (максимум)
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 150 mW
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 68 (типовое значение @ Ic = 5 mA, Vce = 5 V)
Пороговое входное напряжение: VI(on) минимум 1.4 V; VI(off) максимум 300 mV
Выходное напряжение насыщения VO(on): типовое 300 mV (условия измерения 5 mA или малый ток 0.25 mA)
Внутреннее входное сопротивление: около 13 kΩ
Отношение сопротивлений (коэффициент деления базы): 4.7
Диапазон рабочей температуры: -55 ℃ ～ +150 ℃

Предварительно смещенная структура объединяет резистор смещения базы и резистор база-эмиттер. Вход подключается к логическому сигналу, коллектор — к нагрузке. Такая конфигурация уменьшает число внешних компонентов и подходит для компактных схем. Транзистор поддерживает непосредственное управление логическим уровнем от 1.4 V.

Типичные области применения: преобразование и буферизация логических уровней; ключ низкой стороны для MCU/FPGA; управление маломощными реле и ферритовыми бусинами с учетом рассеиваемой мощности и ограничения тока; обработка сигналов кнопок и коммутационные матрицы; управление светодиодами с малым током.

При максимальной рассеиваемой мощности 150 mW следует учитывать теплоотвод корпуса SOT-523 и применять снижение номинальной нагрузки. Максимальный ток Ic составляет 100 mA; рабочий ток выбирают с учетом рассеиваемой мощности и теплоотвода. Минимальный порог VI(on) равен 1.4 V, максимальный порог VI(off) — 300 mV. Типовое выходное напряжение насыщения VO(on) около 300 mV при токе 5 mA.

При монтаже следует использовать технологические параметры, подходящие для корпуса SOT-523, и учитывать рекомендованные размеры PCB и расположение контактных площадок.

В качестве ключа низкой стороны вход подключается к выходу MCU, коллектор — к нагрузке, эмиттер — к земле. Дополнительный базовый токоограничивающий резистор не требуется. При использовании в качестве логического буфера с открытым коллектором высокий входной уровень (>1.4 V) включает транзистор и подтягивает коллектор к низкому уровню.