YANGJIE BC856BQ

BC856BQ — PNP-транзистор для коммутации и усиления малых сигналов. Производитель — YANGJIE. Корпус SOT-23 (TO-236). Суффикс Q указывает на автомобильную квалификацию AEC-Q101. Корпус из эпоксидного материала соответствует UL-94 V-0 и заявлен как не содержащий галогенов. Уровень чувствительности к влаге — 1.

Основные электрические параметры:
Тип транзистора: PNP.
Максимальный ток коллектора Ic: 100 mA.
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 65 V.
Рассеиваемая мощность Pd: 300 mW.
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 250.
Граничная частота fT: 100 MHz.
Обратный ток коллектора Icbo: 100 nA.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): 650 mV.
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 5 V.

Корпус SOT-23 подходит для компоновки печатных плат высокой плотности. При проектировании учитывайте предел рассеиваемой мощности Pd=300 mW и предусмотрите отвод тепла с помощью медных областей и тепловых каналов.

Типовые области применения: схемы коммутации с малым током, усилители малых сигналов, цепи смещения и сдвига уровня, низкопотребляющие системы управления и интерфейсы датчиков в автомобильной электронике.

При эксплуатации ограничивайте обратное напряжение база-эмиттер значением Vebo=5 V. Учитывайте падение напряжения VCE(sat)=650 mV при работе в режиме насыщения. Соблюдайте полярность PNP-транзистора и учитывайте рассеиваемую мощность Pd=300 mW при расчёте максимальной температуры перехода.

Материал корпуса — эпоксидная смола, UL-94 V-0, заявлен как не содержащий галогенов. Уровень чувствительности к влаге MSL1. Версия с суффиксом Q квалифицирована по AEC-Q101.

Модель для заказа: BC856BQ. Для характеристик, распиновки, температурного снижения допустимых значений и габаритов корпуса используйте техническую документацию производителя.