YANGJIE MMBTA05

MMBTA05 — маломощный NPN-транзистор для высоковольтных схем, быстрого переключения и усиления сигналов. Корпус SOT-23 (TO-236), производство YANGJIE.

Основные параметры:
Максимальный ток коллектора Ic: 500mA
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo: 60V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 300mW
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: ≈100 при Ic=10mA, VCE=1V
Граничная частота fT: ≈100MHz
Ток отсечки коллектора Icbo: 100nA (тип.)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер VCE(sat): ≈250mV
Напряжение пробоя эмиттер–база Vebo: 4V
Диапазон рабочей температуры: -55℃ ~ +150℃

Применяется для усиления малых сигналов, быстрого переключения небольших реле, светодиодов и входов оптопар, преобразования уровней и коммутации тока. Компактный корпус SOT-23 подходит для плат с ограниченным пространством.

Рассеиваемая мощность Pd=300mW зависит от теплоотвода на печатной плате. При Ic=500mA напряжение VCE должно оставаться очень низким либо режим должен быть импульсным. Для отвода тепла увеличьте площадь меди и используйте тепловые переходные отверстия. В режиме насыщения hFE заметно снижается; рассчитайте ток базы Ib с учетом требуемого принудительного β. Для оценки можно использовать Ib ≈ Ic / βforced; при βforced=10~20 требуемый ток базы может быть значительным.

Не превышайте обратное напряжение база–эмиттер Vebo=4V и учитывайте предел пробоя коллектор–эмиттер Vceo=60V. Ток Icbo=100nA является типичным; утечка возрастает с температурой. При работе на высоких частотах учитывайте паразитные емкости, разводку и согласование импедансов.

Для низкобокового ключа подключите коллектор к нагрузке, эмиттер — к земле, а в цепь базы включите ограничительный резистор. Для подавления звона в высокочастотных схемах можно использовать конденсатор на базе или демпфирование между базой и эмиттером. Соблюдайте рекомендованный температурный профиль пайки.