YANGJIE BC857BS

BC857BS — биполярный транзистор PNP

BC857BS — малогабаритный поверхностно-монтируемый биполярный транзистор PNP в корпусе SOT-363 с двумя кристаллами PNP в одном корпусе. Предназначен для усиления малых сигналов и управления переключением в компактных схемах.

Основные электрические параметры

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo): 45V. Максимальный ток коллектора (Ic): 200mA. Ток утечки коллектор-база (Icbo): 15nA.

Коэффициент передачи постоянного тока (hFE): типовое значение 220 при Ic=2mA и Vce=5V. Граничная частота (fT): 200MHz.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 300mV при Ic=100mA и Ib=5mA. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300mW; при проектировании следует учитывать снижение допустимой мощности из-за теплоотвода корпуса SOT-363.

Рабочий температурный диапазон: -55℃…+150℃. Напряжение пробоя эмиттер-база (Vebo): 5V.

Корпус и монтаж

Корпус SOT-363 имеет типовые размеры 1.6mm×0.8mm×0.6mm. Поддерживаются стандартные процессы поверхностного монтажа, включая пайку оплавлением и волной припоя. Пиковая температура пайки — не выше 260℃, длительность — не более 10 секунд. Соответствует требованиям RoHS.

Области применения

Усиление аудиосигналов и сигналов датчиков, управление кнопками, регулирование обратной связи в линейных стабилизаторах, управление переключением в маломощных преобразователях DC-DC, измерение тока при зарядке и разрядке аккумуляторов, обработка сигналов датчиков в автомобильных приборах, управление светодиодными индикаторами, схемы управления в портативной электронике и бытовых приборах.

Рекомендации по применению

Максимальный Ic=200mA является предельным значением; рекомендуемый длительный ток — до 150mA. При Pd=300mW следует учитывать теплоотвод печатной платы; рекомендуется ограничить мощность значением ниже 200mW. Контролируйте напряжение смещения базы, чтобы не превышать Vebo=5V. При длительной работе с высокой мощностью учитывайте ограниченный теплоотвод корпуса SOT-363.