YANGJIE SS8550-H SS8550

SS8550-H — малосигнальный PNP-транзистор. Корпус: SOT-23-3L.

Максимальный ток коллектора Ic = 1.5A (пиковый). Напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo = 25V. Рассеиваемая мощность Pd = 300mW (номинальное значение при Ta = 25°C). Коэффициент передачи тока hFE ≈ 120 (Ic = 100mA, VCE = 1.0V). Частота перехода fT ≈ 100MHz. Обратный ток коллектора Icbo ≈ 100nA. Напряжение насыщения VCE(sat) ≤ 500mV. Напряжение пробоя эмиттер–база Vebo = 5V. Рабочий диапазон температур: -55℃～+150℃.

Применяется в ключах верхнего плеча, управлении питанием, усилителях малых сигналов и звуковых каскадах, коммуникационных модулях, интерфейсах датчиков и маломощных переключающих схемах.

При Ta = 25°C рассеиваемая мощность Pd составляет 300mW и должна снижаться при повышении температуры окружающей среды. Пиковый ток Ic до 1.5A ограничен тепловым сопротивлением корпуса и мощностью Pd; для длительной работы с большим током используйте теплоотводящую медную площадку или параллельное включение компонентов. В режиме ключа обеспечьте достаточный ток базы. При Ic = 100mA и принудительном β = 10 расчётный ток базы IB ≈ 10mA. Не превышайте обратное напряжение Vebo = 5V. Для защиты от обратных импульсов можно установить параллельный диод или токоограничивающий резистор. На печатной плате предусмотрите увеличенную медную площадку у коллектора; используйте короткие широкие дорожки для снижения паразитного сопротивления и саморазогрева.

Подходит для низковольтных применений со средним током, где важны компактность и стоимость. Длительный ток и рассеиваемую мощность выбирайте с учётом условий эксплуатации; для длительной работы с большим током или высокой мощностью применяйте корпус большей мощности либо параллельную схему.