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栅极驅動晶片
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集成650V增强型GaN HEMT和硅驅動器的功率级,具備低寄生电感、高開關轉换率、低EMI和多种保护功能,适用於高功率密度和高效率需求的電子系统 BM3G005MUV VQFN046V8080
- 型號
- BM3G005MUV-LBE2
- 封裝
- VQFN046V8080