MBR2H100SFT3G 产品概述

一、产品简介

MBR2H100SFT3G 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款肖特基整流二极管，额定直流整流电流为 2A，反向耐压 100V，典型正向压降为 840mV（在 2A 条件下）。器件采用 SOD-123 小型贴片封装，适合空间受限且要求低压降、快恢复性能的电源与保护电路应用。

二、主要电气参数

• 直流整流电流（IF）：2A（连续）
• 正向压降（Vf）：840mV @ 2A（典型）
• 直流反向耐压（VR）：100V
• 反向漏电流（IR）：40µA @ 100V
• 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：50A（单次脉冲抗冲击能力）
• 工作结温范围（Tj）：-65 ℃ ~ +175 ℃

在 2A 工作条件下，器件的前向功耗约为 Vf×IF ≈ 0.84V×2A ≈ 1.68W；在 100V 反向偏压下的漏电功耗约为 100V×40µA ≈ 4mW，漏电对总体损耗影响微小。

三、封装与机械特性

SOD-123 小封装具有体积小、适合高密度贴片组装的特点。封装便于高速回流焊工艺下的批量生产，器件外形通常带有极性标识，便于在 PCB 布局和装配过程中判别极性。由于封装体积有限，器件热阻相对较高，需在 PCB 设计中注意散热路径。

四、热与可靠性考虑

• 封装限制了器件的散热能力，长时间 2A 工作时功耗约 1.68W，需评估 PCB 铜箔面积和热过孔以保证结温在额定范围内。
• IFSM 为 50A，表示对短时浪涌有良好承受能力，但为非重复峰值，重复或长脉冲浪涌需参照厂商完整浪涌曲线并作保护设计。
• 宽工作结温（-65～+175℃）利于在汽车级与工业级环境中使用，但实际可靠性仍依赖于良好的热管理与合适的工作点选择。

五、典型应用

• 开关电源次级整流（低压、大电流场合）
• 逆电流保护与电源 OR-ing（降低正向压降以提高效率）
• 电池供电系统、便携设备的低损耗整流
• 电机驱动和继电器回路的续流二极管（需确认峰值与平均电流条件）

六、使用建议与注意事项

• 在设计 PCB 时，增大二极管附近的铜箔面积并采用热过孔以改善散热；必要时并联多个器件以降低单器件负担。
• 注意 IFSM 的脉冲宽度和频率限制，避免重复性超出器件允许的浪涌能量。
• 若工作环境常出现较高反向电压和温度，应重点审查反向漏电随温度上升的行为，必要时选择更低漏电的型号或增加冷却手段。
• SOD-123 为小型表贴封装，装配时注意回流曲线与焊接工艺以避免热损伤。

七、选型参考提示

若系统对效率和散热尤为敏感，可比较同类 2A、100V 肖特基器件的 Vf/IF 曲线与热阻参数；若需更高浪涌能力或更低漏电，可考虑更大封装或不同型号。对于汽车级应用，还应确认器件的 AEC-Q 等级或厂商的质量认证。

八、总结

MBR2H100SFT3G 在保持较低正向压降（0.84V@2A）与较低反向漏电（40µA@100V）的同时，提供 100V 的耐压和 50A 的非重复浪涌能力，适合用于空间受限且要求低损耗的整流与保护应用。设计时应重视热管理与浪涌能量限制，以保障长期可靠性。