Двойной MOSFET двухканальный 600В 143А модуль APTC60AM18SCG
- Модель
- APTC60AM18SCG
- Корпус
- -
Поиск товаров
MOSFET
Введите минимум два символа. Результаты разбиты на страницы.
Двойной MOSFET верхнего и нижнего плеча 20В 6А/3,5А DMC2025UFDB-13 UDFN2020-6
- Модель
- DMC2025UFDB-13
- Корпус
- UDFN2020-6
Двойной N-канальный MOSFET 20В 5.8А DMN2041UVT-13 TSOT-26
- Модель
- DMN2041UVT-13
- Корпус
- TSOT-26
Радиофонный транзистор мощности MRF7S19080HR3 SOT-957A
- Модель
- MRF7S19080HR3
- Корпус
- SOT-957A
Двойной N-канальный MOSFET 20В 800мА DMN2710UDWQ-13 SOT-363
- Модель
- DMN2710UDWQ-13
- Корпус
- SOT-363
N-канальный MOSFET 30В 13А DMHT3006LFJ-13 VDFN5045-12
- Модель
- DMHT3006LFJ-13
- Корпус
- VDFN5045-12
Радиофонный транзистор эффекта поля MRF7S19120NR1 TO-270AB
- Модель
- MRF7S19120NR1
- Корпус
- TO-270AB
Двойной MOSFET двухканальный 30В 23А/40А SIZF916DT-T1-GE3
- Модель
- SIZF916DT-T1-GE3
- Корпус
- -
Двойной N-канальный MOSFET 30В 350МА DMN33D9LV-13 SOT-563
- Модель
- DMN33D9LV-13
- Корпус
- SOT-563
Двойной модуль питания N-канала SiC, 1.2 кВ, 120 А BSM120D12P2C005
- Модель
- BSM120D12P2C005
- Корпус
- -
Четырехканальный SiC модуль питания с N-каналом, 1.7 кВ, 64 А MSCSM170HM45CT3AG
- Модель
- MSCSM170HM45CT3AG
- Корпус
- -
Радиофонный транзистор мощности BLF7G24L-160P,112 SOT-539A
- Модель
- BLF7G24L-160P,112
- Корпус
- SOT-539A
N-канальный 30В 1,4А+ P-канальный 20В 1А MOSFET US6M1TR TUMT6
- Модель
- US6M1TR
- Корпус
- TUMT6
Радиофонный транзистор мощности BLF10H6600PSU SOT-539B
- Модель
- BLF10H6600PSU
- Корпус
- SOT-539B
Двойной P-канальный MOSFET 20В 1.8А DMP2110UVT-13 TSOT-26
- Модель
- DMP2110UVT-13
- Корпус
- TSOT-26
Четырехканальный MOSFET верхнего плеча ALD810025SCL SOIC-16
- Модель
- ALD810025SCL
- Корпус
- SOIC-16