Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
AOS AONR21357
Configuration
1 options
Configuration
26+
Available for RFQ
Технические данные
Описание товара
20
характеристик
Основная информация
- Название товара
- AOS AONR21357
- Тип
- AOS
- Единица
- Электронный компонент
- Минимальная упаковка
- 5000 圆盘
Технические параметры
- Упаковка
- Лента
- Единица измерения
- шт.
- Бренд
- AOS
- Модель
- AONR21357
- Шаг
- 1
- Корпус
- DFN-8(3x3)
- Количество
- 1 P-канал
- Категория
- Полевой транзистор (MOSFET)
- Вес
- 0.055g
- Минимальный заказ
- 1
- Артикул
- BM0000279039
- Рабочая температура
- 55℃~+150℃
- Рассеиваемая мощность (Pd)
- 30W
- Напряжение затвора (Vgs)
- ±25V
- Минимальная упаковочная единица
- Диск
- Минимальное количество в упаковке
- 5000
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
AONR21357 Обзор продукта
Модель: AONR21357
Тип: P-канальный полевой транзистор (MOSFET)
Корпус: DFN-3x3-8L
Бренд: AOS
I. Основные параметры
AONR21357 — высокопроизводительный P-канальный MOSFET с напряжением сток-исток (Vdss) 30V, эффективно управляющий током. Подходит для управления питанием и high-side коммутационных применений. Непрерывный ток стока (Id) при 25°C составляет 34A (при температуре корпуса 25°C), что позволяет выдерживать высокие токовые нагрузки, подходя для мощных приложений.
II. Ключевые показатели
Пороговое напряжение затвор-исток: 2.3V @ 250μA, что означает начало проводимости при 2.3V. Это обеспечивает отличную адаптивность в низковольтных схемах управления.
Сопротивление сток-исток во включённом состоянии: при 20A и 10V всего 7.8 мОм. Низкое сопротивление значительно снижает энергопотребление и нагрев, повышая стабильность и надёжность.
Максимальная рассеиваемая мощность: при 25°C составляет 5W, обеспечивая хорошее управление теплом и предотвращая отказы из-за перегрева.
III. Области применения
AONR21357 широко применяется в управлении питанием, импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, электромобилях, драйверах светодиодов и т.д. Высокая токовая способность и низкое сопротивление особенно подходят для эффективных коммутаторов и драйверов. В возобновляемой энергетике и электромобилях его роль растёт.
Благодаря P-канальным свойствам AONR21357 легко интегрируется с микроконтроллерами и логическими схемами через простой уровень преобразования. Корпус DFN-3x3-8L способствует миниатюризации и улучшает рассеивание тепла.
IV. Преимущества
Высокая эффективность: по сравнению с аналогами низкое сопротивление и высокая токовая способность значительно повышают производительность системы.
Отличное управление теплом: эффективное управление мощностью и температурой, стабильная работа при высоких температурах.
Простое управление: умеренное пороговое напряжение позволяет управлять логическими уровнями без сложных схем.
Высокая надёжность: AOS как известный бренд гарантирует электрические характеристики и долгосрочную стабильность.
V. Заключение
AONR21357 — мощный P-канальный MOSFET с превосходными параметрами, подходящий для высокомощных применений. Компактный корпус DFN и отличное управление теплом делают его идеальным выбором в современном электронном дизайне. В управлении питанием, драйверах, электромобилях и LED-освещении AONR21357 демонстрирует выдающиеся характеристики, удовлетворяя растущие потребности рынка.
Запрос котировки
Отправить RFQ
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
BOM и аналоги
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
Сигнал доступности
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары
Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.
