WMSIC Электронные компоненты

AOS AONR21307

МодельAONR21307
КорпусDFN-8(3x3)
БрендAOS
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration Date code within 2 years

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
AOS AONR21307
Тип
AOS
Минимальная упаковка
5000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
AOS
Модель
AONR21307
Шаг
1
Корпус
DFN-8(3x3)
Количество
1 P-канал
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.05g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM69417449
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
5W;28W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
5000
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V
Входная емкость (Ciss)
1.995nF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

AONR21307 Обзор продукта
I. Основная информация о продукте
AONR21307 — это высокопроизводительный P-канальный полевой транзистор (MOSFET), выпущенный компанией AOS, обладающий превосходными электрическими характеристиками и широким потенциалом применения. Номинальная мощность продукта составляет 5 Вт, максимальная мощность достигает 28 Вт, рабочее напряжение 30 В, максимальный ток нагрузки 24 А, подходит для различных сценариев средней и высокой мощности. Он выполнен в корпусе DFN-8-EP(3x3), имеет компактный дизайн и отличные тепловые характеристики.
II. Технические характеристики
Тип: P-канальный MOSFET
Мощность: 5 Вт (максимум до 28 Вт)
Напряжение: 30 В
Ток: 24 А
Корпус: DFN3x3A-8L
Диапазон рабочих температур: -55℃ до 150℃
Напряжение сток-исток: V_DS @ 25℃ = 30 В
Пороговое напряжение: V_GS(th) @ V_DS = -10 В
Скорость переключения: быстрые характеристики переключения, подходит для высокочастотных применений
III. Особенности продукта
Высокая эффективность: AONR21307 использует передовую технологию производства, оптимизированный дизайн канала, значительно снижено сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)), что обеспечивает высокую токовую способность и низкие потери мощности. Это особенно важно в применениях, требующих высокой эффективности, таких как управление питанием и привод двигателей.
Отличные тепловые характеристики: конструкция корпуса DFN обеспечивает хороший путь отвода тепла, эффективно снижает нагрев прибора при высоких нагрузках, способствуя долгосрочной стабильной работе.
Простота управления: P-канальный MOSFET имеет гибкий дизайн, прост в управлении, совместим с различными схемами драйверов. Это делает AONR21307 более удобным в проектировании и применении, повышая гибкость дизайна.
Высокая надежность: после строгого контроля качества AONR21307 сохраняет отличные характеристики в различных жестких условиях, подходит для применения в промышленности, потребительской электронике и электрическом оборудовании.
IV. Области применения
AONR21307 широко применяется в различных сценариях управления питанием и коммутации, включая, но не ограничиваясь:
DC-DC преобразователи: в импульсных источниках питания и понижающих преобразователях AONR21307 может использоваться в качестве основного ключа или синхронного выпрямителя, повышая эффективность преобразования и уменьшая объем системы;
Привод двигателей: в области управления двигателями постоянного тока, шаговыми двигателями и т.д. этот MOSFET может использоваться для управления пуском/остановом и регулировкой скорости двигателя;
Драйверы светодиодов: AONR21307 может эффективно регулировать рабочее состояние светодиодов для освещения и дисплеев;
Системы управления батареями: в схемах управления зарядом и разрядом батарей AONR21307 может эффективно управлять потоком энергии батареи, повышая эффективность и безопасность всей батарейной системы.
Коммутация сигналов: в качестве коммутационного элемента управляет передачей и переключением аналоговых или цифровых сигналов, повышая гибкость передачи сигналов.
V. Заключение
P-канальный MOSFET AONR21307 благодаря высокой мощности, низкому падению напряжения и отличным тепловым характеристикам стал идеальным выбором в электронном проектировании отрасли. Будь то управление питанием, управление двигателями или другие высокоэффективные применения, этот продукт удовлетворяет самым строгим требованиям к производительности. Сочетая превосходные электрические характеристики и надежность, AONR21307 поможет инженерам повысить общую производительность и стабильность системы, реализуя высокоэффективный и малогабаритный дизайн.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.