BORN BDFN2C4R51V50

BDFN2C4R51V50 Обзор продукта
I. Введение
BDFN2C4R51V50 — двунаправленный TVS-подавитель, выпущенный BORN, в сверхмалом корпусе DFN1006-2 (SOD-882, эквивалент 0402), специально разработанный для эффективной защиты от переходных перенапряжений и электростатического разряда цепей питания и интерфейсов класса 5V. Устройство имеет двунаправленную структуру, установившееся рабочее напряжение Vrwm = 4.5V, напряжение пробоя VBR ≈ 4.7V, подходит для защиты USB, зарядки и небольших модулей.
II. Ключевые электрические параметры
Полярность: двунаправленный (Bi-directional)
Обратное рабочее напряжение Vrwm: 4.5V
Напряжение пробоя VBR: 4.7V (типовое)
Напряжение ограничения: при различных импульсных токах типовые значения ограничения 5.5V, 7.5V и 13V (увеличивается с ростом импульсной нагрузки)
Пиковый импульсный ток Ipp: 40A (8/20µs)
Пиковая импульсная мощность Ppp: 500W (8/20µs)
Обратный ток утечки Ir: 100nA (типовое при нормальной температуре)
Емкость перехода Cj: около 90pF
Уровень защиты: соответствует нормам IEC 61000-4-2 (ESD), IEC 61000-4-4 (EFT), IEC 61000-4-5 (выбросы)
III. Характеристики и преимущества
Сверхмалый корпус (DFN1006-2/0402) занимает чрезвычайно малую площадь, что благоприятно для высокоплотного проектирования и портативных продуктов.
Двунаправленная защитная структура подходит для защиты от положительных и отрицательных импульсов или сигнальных линий с переменной связью, не требует различения полярности.
Высокая способность поглощения энергии (500W@8/20µs) и высокий пиковый ток (40A) гарантируют эффективную защиту нижестоящих компонентов даже в условиях сильных помех.
Низкая статическая утечка (100nA) мало влияет на эффективность питания, подходит для портативных систем с батарейным питанием.
Соответствует ряду стандартов промышленной помехоустойчивости IEC, способен противостоять распространенным электростатическим разрядам и выбросам.
IV. Типовые области применения
Защита шины питания 5V и USB/OTG VBUS: Vrwm = 4.5V хорошо согласуется с системами 5V.
Малая потребительская электроника: мобильные устройства, носимые устройства, модули Bluetooth и другие продукты, требующие малой площади и устойчивости к ESD.
Защита связи и интерфейсов: для последовательных или дифференциальных интерфейсов, требующих двунаправленной защиты от выбросов/статики (в пределах допустимой емкости перехода).
Подавление переходных процессов в промышленном управлении и измерительных приборах.
V. Рекомендации по проектированию и применению
Компоновка: TVS размещайте как можно ближе к защищаемому интерфейсу или входу питания, дорожки короткие и толстые, контур заземления должен иметь как можно более низкий импеданс; для многослойной платы рекомендуется разместить переходные отверстия рядом с плоскостью заземления для улучшения теплоотвода и обратного тока.
Осторожно для высокоскоростных сигналов: емкость перехода данного устройства около 90pF может влиять на целостность высокочастотных и высокоскоростных дифференциальных сигналов (например, высокоскоростной USB/PCIe); при использовании для высокоскоростных каналов оцените влияние на сигнал или выберите низкоемкостный TVS.
Тепловые и корпусные соображения: корпус 0402/DFN1006-2 удобен для поверхностного монтажа, но при повторяющихся высокоэнергетических импульсах необходимо учитывать тепловой менеджмент паяных соединений и подложки.
Разумный выбор: если системе требуется более низкое напряжение ограничения или меньшая емкость, можно сравнить с другими сериями или однонаправленными устройствами; для защиты от более высокоэнергетических импульсов можно включить параллельно или выбрать продукт более высокого класса мощности.
Итог: BDFN2C4R51V50 благодаря малым размерам, двунаправленной защите и относительно высокой способности поглощения импульсной энергии подходит для защиты от ESD/выбросов в цепях питания 5V и обычных интерфейсах. При компоновке PCB и совместимости с высокоскоростными сигналами необходимо учитывать влияние емкости перехода; следуя вышеуказанным рекомендациям по разводке и выбору, можно достичь хорошего защитного эффекта.