BORN BDFN2C241V35

BDFN2C241V35 Супрессор импульсных перенапряжений (TVS) Обзор продукта
I. Позиционирование продукта и ключевая ценность
BDFN2C241V35 — это двунаправленный супрессор импульсных перенапряжений (TVS), выпускаемый компанией BORN, специально разработанный для защиты низковольтных схем от перенапряжения. Ключевая ценность: двунаправленная защита от перенапряжения в сверхмалом корпусе DFN1006, сочетающая низкую ёмкость перехода и высокую импульсную стойкость, отвечает потребностям потребительской электроники, связи, промышленного управления и других областей в компактной, высоконадёжной EMC-защите.
II. Подробное описание ключевых электрических параметров
Параметры продукта точно соответствуют требованиям защиты низковольтных систем, основные параметры и их значение:
2.1 Ключевые параметры защиты по напряжению
Обратное напряжение отсечки (Vrwm): 24 В: максимальное напряжение, при котором TVS не проводит в нормальном режиме, подходит для цепей с рабочим напряжением ≤24 В (например, питание 12 В/24 В, сигнальные интерфейсы 5 В/3,3 В), не влияет на нормальную работу схемы;
Напряжение пробоя (Vbr): 26,7 В: типовое напряжение срабатывания при перенапряжении, между Vrwm и напряжением ограничения, обеспечивает своевременность защитного отклика;
Напряжение ограничения (Vc): 44 В: максимальное напряжение ограничения при пиковом импульсе перенапряжения, эффективно защищает последующие чувствительные компоненты (такие как MCU, датчики, обычно с допустимым напряжением ≤30–40 В).
2.2 Импульсная стойкость
Пиковый импульсный ток (Ipp): 5 А при 8/20 мкс: типовой ток для стандартной отраслевой импульсной формы, способен противостоять выбросам средней интенсивности на питании/сигнале (например, индуцированным ударом молнии, коммутационным выбросам);
Пиковая импульсная мощность (Ppp): 280 Вт при 8/20 мкс: значение мощности, соответствующее импульсу 5 А, подтверждает надёжность защиты от выбросов.
2.3 Другие ключевые параметры
Обратный ток утечки (Ir): 100 нА: крайне низкий ток утечки в нормальном режиме, влияние на энергопотребление схемы пренебрежимо мало;
Ёмкость перехода (Cj): 20 пФ: низкая ёмкость перехода снижает помехи для высокочастотных сигналов (таких как Bluetooth, Wi-Fi), обеспечивая целостность сигнала;
Число каналов: один: одноканальное исполнение подходит для целенаправленной защиты одной линии (например, линии данных USB, сигнальной линии датчика).
III. Корпус и надёжность
3.1 Сверхмалый корпус DFN1006
Используется корпус DFN1006 (размеры около 1,0 мм × 0,6 мм × 0,4 мм), объём составляет всего 1/3 от традиционного корпуса SOT-23, значительно экономит пространство печатной платы, подходит для умных часов, Bluetooth-наушников и других портативных устройств и малых коммуникационных модулей.
3.2 Соответствие международным стандартам EMC
Продукт прошёл испытания по основным стандартам серии IEC 61000-4:
IEC 61000-4-2 (электростатический разряд): противодействие статическому электричеству человека/оборудования (контактный разряд ±8 кВ, воздушный разряд ±15 кВ);
IEC 61000-4-4 (быстрые переходные импульсы): подавление коммутационных выбросов, помех от двигателей и других быстрых импульсов;
IEC 61000-4-5 (выбросы): выдерживание индуцированных ударом молнии выбросов на питании/сигнале (например, контактный разряд ±2 кВ, воздушный разряд ±4 кВ).
IV. Типовые области применения
Характеристики BDFN2C241V35 делают его пригодным для различных низковольтных защитных сценариев:
Интерфейсы потребительской электроники: зарядный порт USB смартфона, аудиоинтерфейс, интерфейсы данных умных носимых устройств;
Коммуникационные модули: входы/выходы сигналов модулей Bluetooth, Wi-Fi, LoRa, защита радиочастотных микросхем от электростатического повреждения;
Цепи промышленного управления: интерфейсы датчиков 12 В/24 В ПЛК, линии управления малых исполнительных механизмов;
Вспомогательные цепи автомобильной электроники: автомобильный зарядный порт USB, интерфейс датчика давления в шинах (низковольтные системы).
V. Выбор и меры предосторожности при применении
Согласование параметров: рабочее напряжение системы должно быть ≤Vrwm (24 В), чтобы избежать проводимости TVS в нормальном режиме;
Место установки: рядом с защищаемым компонентом/интерфейсом, чтобы уменьшить индуктивность выводов (снижающую эффект ограничения);
Высокочастотное соответствие: ёмкость перехода 20 пФ подходит для высокочастотных сигналов выше 100 МГц, для сверхвысокочастотных сценариев требуется оценка с учётом частоты;
Число импульсов: избегайте длительных повторяющихся импульсов, превышающих номинальный Ipp, чтобы предотвратить старение прибора.
BDFN2C241V35 с высокой экономической эффективностью обеспечивает низковольтную защиту от перенапряжения в различных сценариях, являясь идеальным выбором для миниатюрных проектов в потребительской электронике, связи и других областях.