BORN BDFN2C051V40

BDFN2C051V40 Обзор продукта
I. Введение
BDFN2C051V40 — это TVS/ESD-устройство для защиты от электростатических разрядов и бросков тока, выпускаемое BORN. Одноканальная двунаправленная защита, подходит для защиты интерфейсов и сигнальных линий с жесткими требованиями к подавлению высоко- и низковольтных переходных процессов. Корпус DFN1006-2L (малый SMD), удобен для поверхностного монтажа и компактной компоновки.
II. Основные особенности
Двунаправленное (Bi-directional) подавление переходных процессов, подходит для дифференциальных или двунаправленных сигнальных линий.
Пиковая импульсная мощность Ppp = 200 Вт (форма волны 8/20 мкс), эффективно поглощает энергию переходных процессов.
Пиковый импульсный ток Ipp = 18 А (8/20 мкс).
Низкая емкость перехода Cj = 34 пФ, малое влияние на высокоскоростные линии данных.
Соответствует стандартам помехоустойчивости IEC 61000-4-2 (ESD) и IEC 61000-4-4 (EFT).
Обратный ток утечки Ir чрезвычайно мал, типовое значение 1 мкА.
III. Основные электрические параметры
Напряжение фиксации (Vclamp): 11 В (типовое значение фиксации при стандартных импульсных условиях).
Напряжение пробоя (Vbr): 6 В (диапазон начального напряжения проводимости устройства).
Обратное напряжение отсечки (Vrwm): 5 В (верхний предел рабочего напряжения, подходит для интерфейсов 5 В/USB).
Пиковая импульсная мощность: 200 Вт @ 8/20 мкс; пиковый импульсный ток: 18 А @ 8/20 мкс.
Емкость перехода: 34 пФ (низкая емкость способствует целостности высокоскоростных сигналов).
IV. Типовые применения
Защита высокоскоростных интерфейсов USB, HDMI, Ethernet и др.
Защита интерфейсов промышленного управления и датчиков.
Защита внешних выводов коммуникационного оборудования, мобильных терминалов, потребительской электроники.
Случаи, требующие низкой емкости и низкой утечки для сохранения качества сигнала.
V. Корпус и монтаж
Корпус: DFN1006-2L (малый размер, подходит для высокоплотной компоновки PCB).
Рекомендуется размещать устройство рядом с защищаемым интерфейсом или разъемом, уменьшая индуктивность выводов PCB и паразитный импеданс. Использовать хорошую земляную плоскость и короткий обратный путь для повышения защитных характеристик.
VI. Меры предосторожности
Устройство является поглотителем энергии переходных процессов и не может использоваться как защита от длительного тока или стабильного питания.
Напряжение фиксации изменяется в зависимости от амплитуды и формы импульса; фактическая фиксация должна определяться системными испытаниями.
В рабочей среде 5 В и выше учитывать Vrwm (5 В); превышение рабочего напряжения может вызвать постоянную проводимость или утечку.
Рекомендуется в проектировании на уровне платы совместно с согласованием импеданса и фильтрующими компонентами оптимизировать помехоустойчивость.
BDFN2C051V40 при малом размере сочетает высокое поглощение энергии и низкую емкость, подходит для электронных проектов с высокими требованиями как к целостности сигнала, так и к защите от переходных процессов.